★★  半導体技術について勉強しよう  ★★

1 : 名無しさん@1周年 : 01/09/10 22:42 ID:5IPKmgoU
半導体メーカーに就職しました。
技術やトレンドについて、相互に知ってる部分を教えたり
質問したりするスレッドです。
2 : 名無しさん@1周年 : 01/09/10 22:46 ID:5IPKmgoU
最新のラインルールはどこまでいってるの?
俺が関係してるラインは、PVDandインプラです。
分からないことがあったら聞いてね。
答えられる範囲で答えます。
3 : 名無しさん@1周年 : 01/09/10 22:48 ID:5IPKmgoU
リストラされたプロセスエンジニアいる?
転職は出来そう?
プロセスエンジニアの採用ってだいぶ控えられてるでしょ。
再就職先のめどを参考までに教えてください。
自分もぷろせすやってるのですが、、、、、、
4 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 00:28 ID:u/VfD4jc
ラインルールって何ですか?デザインルールのことかなぁ
デザインならコンマ1マイクロくらい。

#PVDとインプラって関係あるの??
#PVDってプラズマの膜付けでいいのかな。
5 : 社員試用中 : 01/09/11 18:40 ID:S9Mj5.Xo
エッチングプロセス屋です。
早速ですが、「LOW-K」「LOW-K膜」ってナンデスカ?
また「Kバリュー」って何のことでしょう?
ちんぷんかんぷんです。よろしくお願いします。
6 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 21:04 ID:rRf0DPKY

>>5
わからん。ウチのロットカードにはそういう工程はないな。
7 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 21:22 ID:rRf0DPKY
ラインルールってゲートのルール?
ウチはまだ0.35umぐらいが主流。
この頃ようやく0.25umとか0.18umとか入ってきた。
遅れてるよね。やばいよ。
8 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 21:39 ID:7OKQIrs2
http://www.atmarkit.co.jp/fpc/rensai/zunouhoudan009/cu_process.html

http://www.screen.co.jp/eed/Semi_nyuumonn/5_01.html

kは誘電率。
9 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 23:26 ID:vHepctPI
おお、結構反応ありますね。もっと活発に勉強していきましょう。
PVDは、物理的な膜付方法。
普通は、すぱったによる金属膜づけのことです。
イオンを金属(アルミとかチタン、銅、など)にぶつけて
すぱったされて、飛び出した金属原子?分子が
ウェハーに堆積します。

LOW-Kは、抵抗の低い材料のこと
配線と配線の間をこれで埋めてやると、お互いの配線同士の
影響をキャンセルできるっていう技術だと思ったけど、、、
詳しい人がいたらたのみます。
10 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 23:29 ID:vHepctPI
インプラってのは、イオン注入装置だ。
PVDとは待ったく別の装置だぜ、
インプラは、イオンを加速器にて加速して
ウェハー表面にぶつけていく。
ドープイオンの打ち込みに使うんです。
加速器がでかいので、他の装置がおもちゃに見えるほど威圧感があります。
ちなみに、中電流、大電流のインプラがあります。
当然大電流の方が、強烈なパワーでイオンを打ち込む。
11 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 23:31 ID:vHepctPI
デュアルダマシンについて熱く語れる人いませんか?
結構最新技術らしいけど、どんな特徴があるのでしょうか?
メリット、問題点などお願いしマーす。
12 : 名無しさん@1周年 : 01/09/11 23:48 ID:N1JwZgtY
>9
こらこら、抵抗を低くしてどうする。
Kは誘電率、つまり、低い誘電率の材料を使って、
配線間の容量(Capacitance)を小さくして、配線遅延を減らす技術。
これとは逆にゲート酸化膜にHigh-K材料を使って、リーク電流を
減らすもの。
http://www.atmarkit.co.jp/fpc/rensai/zunouhoudan009/cu_process.html

個人的にはIBMの表面を引っ張ると早くなる、ってのが面白いと思うんだが。
13 : 12 : 01/09/11 23:52 ID:N1JwZgtY
後半 日本語変だった。ちょっと修正。

これとは逆にゲート酸化膜にHigh-K材料を使って、リーク電流を
減らす技術もある。
http://www.atmarkit.co.jp/fpc/rensai/zunouhoudan009/cu_process.html

個人的にはIBMのシリコン表面を引っ張るとスピードが早くなる技術が面白いと思うんだが。
14 : 名無しさん@1周年 : 01/09/12 00:09 ID:cPVrmoOA
>>1どこの半導体会社にきまりましたか?
15 : 名無しさん@1周年 : 01/09/12 01:08 ID:FGY1qyDY
高抵抗ポリプロセスに付いて語って~

#アメリカ大変だね・・・
16 : 名無しさん@1周年 : 01/09/12 01:41 ID:JwkTFZfc
STARCってどうですか?
17 : 名無しさん@1周年 : 01/09/12 07:03 ID:0D3MPzS6
 ダマシンって、アルミとかではPVDとかCVDでメタル膜つけてからエッチャで
切る、ってプロセスだったけど、絶縁膜を切って溝をつくってからそこに
メタル(Cuとか)を埋め込んで余分なメタルを(CMPで)除去、とかいう技術で
なかったっけ?(カッパ魂)
なんでデュアルなんだろ?層の間をつなぐメタル配線をダマシンプロセスでやるから?

googleで検索したら、こんなん出てきた。
http://www.nec.co.jp/japanese/today/newsrel/0106/1304-01.html
http://www.screen.co.jp/eed/Semi_nyuumonn/5_01.html
http://www.labs.nec.co.jp/Topics/data/r991202/
http://www.xilinx.co.jp/products/virtex/ve_bkgr1.htm
http://www.ee.ed.ac.uk/STR/research_projects/ACME/
18 : 社員試用中 : 01/09/12 10:10 ID:jPCWXQBM
みなさん、ありがとうございます。なんとなく理解できてきました。
いま、ダマシンのエッチングしているんですよ。
なんならSEMの写真でも...やばそうなので止めます。
19 : : 01/09/13 01:30 ID:ut5m4OI.
ふー、やっと仕事終わったよ。
夜12;45帰宅
あ、早々、誘電率を低くするんでしたね。
言葉のミスです。すまそ

>14
どこかは言えないけど
比較的有名な、半導体専門のデバイスメーカーです。
聞いてどうする?
20 : 名無しさん@1周年 : 01/09/14 13:55 ID:slWnoOsY
流行らないね。ネタキレかな?
21 : 名無しさん@1周年 : 01/09/14 19:16 ID:yWJEfLkA
教えてください。

STI(シャロートレンチ分離)って何?
これのメリットってなんでしょうか?

ほっそーい溝(トレンチ)掘る、ってのは想像がつくのですが...
22 : 名無しさん@1周年 : 01/09/14 21:04 ID:7LpdyUCM
STIは溝を掘ってそこに絶縁膜を埋め込んで素子と素子を電気的に分離する技術のこと。
STIが出る前はLOCOSっていうのが使われていたけどこれは窒化膜をマスクにして選択酸化するやり方。これだと横方向への酸化があって微細加工に向いてない。
その点STIはドライエッチングで作るので微細加工に適しているというわけ。
23 : : 01/09/15 01:18 ID:idyqgM5.
わかりやすーい。>22
24 : : 01/09/15 01:22 ID:idyqgM5.
SIO2のプラズマCVDで、TEOSってのがあるんだけど
こいつの用途ってなんなんでしょうか?
普通の熱産かじゃだめなの?
つーか、酸化膜の工程っていっぱい有って、よくわからないんですけど
それぞれの特徴って、どうですかねえ?
25 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 01:40 ID:tP4fKqPc
溝を掘ってそこに絶縁膜を埋めこむのか。なるほど。
しかし、どうやって埋め込むんだろう? デポるの?
26 : 25 : 01/09/15 01:43 ID:tP4fKqPc

>>24
プラズマCVDってのは、膜の材料を行きみたいに降らせて積もらせるわけよ。

普通の熱酸化ってのはパンを焼くみたいな感じ。膨らむのだ。

ここら辺の感じの違いで使い分ける。
27 : 25 : 01/09/15 01:44 ID:tP4fKqPc
膜の材料を行きみたいに → 膜の材料を雪みたいに
28 : 22 : 01/09/15 02:36 ID:5qtn7VY.
>>25
そのとーり埋め込みはデポ。その後CMPで平坦化。
>>25
熱酸化だと低くても850℃以上の温度を必要とする。そうすると不純物が動いちゃうからもっと低温でできるCVDを使うっていう考えがある。他にはゲートとかの構造物があるとこに均一に膜をつける時は熱酸化じゃ無理だね。答えになってないか?
29 : 22 : 01/09/15 02:38 ID:5qtn7VY.
3行目は>>24の間違い。
30 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 02:40 ID:moT6oAYg
>>24

プラズマ系のCVD→比較的低温での成膜可能
LP-CVD →上に比較して高温
熱酸化 →さらに高温&シリコン自体を酸化しながら成長
で、プラズマ系はメタル配線以降の熱をかけたくない工程に使用される。
LP-CVDの成膜温度は代表的な配線材料であるアルミの融点を超え、配線が溶けます。

 じゃあプラズマCVDが万能か?というと そんな事は無く、膜としての緻密さは
熱酸化膜>LP-CVD>プラズマCVD で、シリコン基板に近い層の成膜は、
プラズマCVD膜では無く 熱酸化やLP-CVDが使われる。
31 : : 01/09/15 07:23 ID:O8mRLD0M
そーだったんだー。
LP-CVDとプラズマCVDの使い分けの謎がやっと理解できました。
そっか、そっか、だからプラズマCVDは配線以降なんですな。
32 : 名も無きマテリアルさん[age] : 01/09/15 08:38 ID:InPXZL8o
>>24
プラズマCVDでのTEOSは層間膜に使われます。
33 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 09:05 ID:nZBfFly2
ほんと勉強になります。

さいきんSODコータっつーのが出てますけど、これってCVDの「材料を降り
積もらせる」のに対して「材料を塗る」って考えてよいですよね?

材料を塗るだけだから、プラズマCVDよりももっと温度が低くていい、って
ことなんでしょうか?
# でもCVDと比べると薄い膜にするとか、ムラなくして均一に塗る、とかは
# 大変そう。
34 : 名も無きマテリアルさん : 01/09/15 17:31 ID:iahTUU0.
プラズマCVDでボロン入りTEOSはBPSG膜の平坦化に使われることもあります。
通常はリンでゲッタリングするのを下地の関係でこうなるプロセスもある。
35 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 22:49 ID:MlDVBS0Q
BPSG現在製造ラインを含むその他の工程でオペレータしてます。
なんか、BPSGってなーにって聞いたら、
Bとpが含まれた酸化膜という説明を受けたんですけど、、
何の事かいまいちわかりません。
だって、BtoP混ぜたって、酸化膜ならどうせ絶縁体だろうし???
なんのために、酸化膜に不純物入れるのか教えてくださーい。。。。
36 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 22:51 ID:MlDVBS0Q
ついでに、SiNと普通の酸化膜って、両方とも絶縁体ですが
なんで2種類の絶縁体膜をりようするんですか?
より抵抗値の高いほうを使えばチャンバー一つですむのに、、、、
なにか、それぞれのメリットがあるんでしょうか?
37 : 名無しさん@1周年 : 01/09/15 23:43 ID:/aTrNKCk
>>35
通常はBPSG成膜の後に必ず平坦化(リフロー)のための熱処理(アニール)工程が入っていると思います。
BとPを加えると、アンドープ時よりも低い温度で平坦化ができるようになります。
38 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 00:21 ID:uwPURB2M
すげーわかりやすいです。
そうですか、平坦化工程の温度低下のためにBとPを導入するなんて
夢にも思いませんでした。
あなたのような分かりやすい説明ができる上司の下で働きたいですね。
部下は幸せものです。

ちなみに、お仕事は研究職ですか?
39 : 37 : 01/09/16 02:25 ID:YWusxzL6
> BとPを加えると、アンドープ時よりも低い温度で平坦化ができるようになります。

アンドープでは熱をかけてもリフローしないけど、ボロンとリンを入れるとリフローするようになると言った方が良いかもしれません。
なんせ専門外なので。スマソ。

>>38
プロセス開発エンジニアです。
40 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 08:12 ID:ulKXvOtE
参考書は?
41 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 08:21 ID:Eahk7CiY
なるほど、>37

しっかし、ずいぶん遅い時間の書き込みですが仕事中でしたか?
それとも、お休みの日でしたか?
いずれにしても、ご教授ありがとうございました。
42 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 08:31 ID:7MI7whVg
それではおやすみなさい。夜勤中なのだ。
43 : 苦学生[lk] : 01/09/16 11:50 ID:FVtr6Cqw
はじめて書きこみさせていただきます。
私は今年就職活動し、ある半導体の会社から内定をもらいました。
配属は技術職。半導体の設計、開発です。
でも私は私立文系です。学部は法学部。
受験でも理系科目どころか、数学(必要ですか?)も勉強してません。
営業職を希望していて、内定をもらった時は当然営業だと
思ってました。
「入社してから勉強すれば大丈夫」と言われているんですが、
不安なので、10月あたりから勉強しようと思っています。
このレスに全て目を通したんですが、さっぱり理解できません。
何か基礎からわかる教科書、勉強しておくべき理系科目を
教えてください。
「就職活動やりなおせ」って言うのは、なしってことで。
44 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 12:01 ID:92x63P2M
就職活動やりなおしってのもいいかもよ。
でも、俺のいた職場でも私立の文系卒で同じような営業希望で
技術の勉強のために、どっぷり技術付になり
そのままエンジニアとしての人生を歩んでいる方もいらっしゃいます。
がんばってください。
おそらく、初心者は本を読んでも、興味も沸かなければ
理解も出来ないと思います。
そこで、いっそのことアルバイトで派遣のオペレータでもやってみてください。
現場での製造工程を目の前にすると、興味も出るし、
実際の知識の枠組みのようなものが出来てきます。
必要に応じて、詳しく掘り下げて勉強すれば、さらに詳しくなれます。
では
45 : _ : 01/09/16 16:34 ID:TBwjDffg
>>36
はじめて書き込みます。
SiNとSiO2は共に絶縁体ですが、エッチングレートがかなり異なります。
それを利用して、現在の半導体プロセスではSiNをストッパー膜として
用いることが多いです。たとえば層間膜などで下層を薄いSiN膜、
上層を厚いSiO2膜構造にすれば、コンタクトホールエッチングプロセスで
まずSiO2膜をエッチングするガスでSiO2膜を削ってSiN膜でエッチングを
止め、今度はSiN膜をゆっくりエッチングすることで、下地膜にダメージの
ないコンタクトホールを形成することが出来ます。

あと、SiN膜はDRAMの容量絶縁膜に用いられています。SiO2膜よりも
誘電率Kが高い(K=7.5, SiO2は3.9)ので、たくさんの電子を蓄えることが
できるからです。大昔はSiO2膜が使われていました。
46 :   : 01/09/16 17:14 ID:TPe3WQkM
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47 : 苦学生[lk] : 01/09/16 17:32 ID:FVtr6Cqw
>>44
確かに、本屋で何冊か半導体の本を手にとってみたんですが、
読む気になれませんでした。
私の根性無しも原因ですが。
文系出身でもがんばっている人はいるんですね。
がんばります。
48 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/09/16 17:38 ID:v2doT1ww
>>43
ここに書いてあることは、「半導体製造」の技術だから、半導体の
設計・開発とは若干違いがあるかも。
(半導体の設計・開発だと、もうちょっと電気よりになるかな。)

まあただ、>>44さんのおっしゃっているように、自分の興味が湧く
ためにアルバイトとかしてみるといいかも。やっぱり実際のモノを
みないと、話をしているだけじゃあ興味が出ないと思うから。

がんばってください。

...また、未経験者とかばりばり文系とか、気にしないほうが
よいかもよ。「人とは違う見方ができる」っつーのは貴重かも
しれない、とポジティブシンキングしてみれば?
49 : 名無しさん@1周年 : 01/09/16 22:51 ID:ROstg6tg
そうですね。
私の知ってる英文卒のプロセスエンジニアは、英語が出きることを武器に
海外とのやり取りの中心的存在として、プロセスグループの中でも
主力として活躍してました。
文系でも、分野違いでもがんばってやれば、何とかなります。
まずは、興味を持つために、この掲示板などでいろいろ質問してみてはいかがでしょうか?
という私も勉強するために、この掲示板を読ませてもらってるんですけど、、、、
50 : 名無しさん@1周年 : 01/09/17 05:36 ID:ahsQqiAg
>>47
初心者の啓蒙書の部類に入るものは少ないと思います
気合入れて「グローブ」とか買っても部屋の飾りにしかならないです
図解シリーズとかで雰囲気をつかんでおくのが良かと
文系の学生いれておいて教育が出来ない半導体関連会社なら危険です

ここのスレッドの内容は工学部の半導体系研究室の学部から院生の学生程度の
知識が必要だと思います。
51 : 名無しさん@1周年 : 01/09/17 20:17 ID:medjHZ6c
グローブはむずかしいね。
ジーさんのほうが読みやすい気がするなぁ(俺は)。
英語じゃないいい本があれば教えてほしいよう
52 : 名無しさん@1周年 : 01/09/18 22:46 ID:9kQaY49U
今、スパッタマシンについて、評価の仕事をすることになりました。
といっても、スパッタマシンなんてあまり詳しく知らないのにどうしたらいいのか悩んでます。
装置のどの辺の性能に重点を置いて比較すれば言いのでしょうか?
おもに、チャンバー内パーツの評価がメインになりるのですが
分かる方いましたら、お願いいたします。
53 : 苦学生[lk] : 01/09/19 08:36 ID:ErU7GPek
>>48 >>49 >>50 >>51

いろいろありがとうございます。
内定をもらったときに「人手がたりなくなったら
バイトしてくれ」と言われたんですが、連絡ありません。何か探してみようかな?
オペレーターですか。
英語はそこそこできるんですが(TOEIC735)、これって実務で役に立ちま
すか?英語の勉強は会社からも「しておけ」と言われてるんでがんばってます。
入社してから1から勉強だ、ということなので、危険な会社ではないはず(と思い
たい)。「入門 半導体」とか「基礎からわかる半導体」みたいな本ないですかね
54 : 名無しさん@1周年 : 01/09/19 19:24 ID:qL2OemIE
>>53
あるよ。本屋さんの電気電子の棚。ちょっと大きいところのほうがよいかな。

英語はそれだけできれば十分でしょう。ひじょうに役に立つとおもいます。
55 : 名無しさん@1周年 : 01/09/20 00:09 ID:kd1bTlRc
>>53
デザイン?
それなら簡単な半導体の製造の本(入門書にはこれが多い)読んでから、
回路をやったほうがいいかもね。数学できるならいいんだけど・・・(文系とのことなので)
回路は数学がだめだときついかもしれない。理系なら普通なんだけど、どうでしょ。
一応オームの法則とキルヒホッフくらいは最低限したほうがいい。基本だから。
あとは論理回路の大学で使うような教科書一冊しておくといいとおもう。
イメージがある程度つかめると思う。いきなり言語だとわけわかんなくなると思うから

プロセスなら、製造の入門書何冊か見ればOKだと思うよ。
フォト担当とか決まってからでも十分勉強間に合う。というかすごく専門的なので、
みんなそれから勉強です。デバイス担当だといろいろ覚えることがあると思うけど、
幅広くなんで今のうちは簡単な本でイメージをつかんでおくのがいいと思う。

しかしTOEIC735はうらやましい。。。ぜひ前面に押し出して海外とのやり取りのある部署
に入れてもらったほうがいい!ほんとに。まじで実務で役に立つかどうかの話じゃないって!!
すごい武器ですよ!プロセスだとアプライドとかASML(これはあまりないか。。)
など海外のマシンもけっこうあるし。

#恥ずかしい話だが俺は入社時450くらい・・課長にがんばってくれ~といわれた。
#研修後二日目に英語の電話がきたヨ・・・あぁ~。泣きたくなりました。
56 : 苦学生[lk] : 01/09/21 14:36 ID:WOX57PT6
>>54 >>55
自分にも武器があるとわかり、安心しました。数学は苦手ですが。
入門書として、ナツメ社、図解雑学(半導体、電子回路、電気・電子のしくみ)を
買ってきました。とにかくまずは雰囲気をつかもうと思います。
>>55
英語の勉強、ともにがんばりましょう。
57 : 50 : 01/09/21 15:33 ID:3fi7RfPA
>56
図解シリーズってわかって頂けましたか。よかった
実際に製造に携わっていても体系的にまとめた知識をもっている
人は少ないのでここからスタートしてください。
数学もここで定性的に掴んだ後で勉強すればかなりイイ線行くはず

数学といっても近似計算とかで使う幾つかの展開法とか
文系でもソフトウェア好きなら耐えられるレベルだと思う。
58 : 名無しさん@1周年 : 01/09/23 00:54 ID:slvAzvzE
a
59 : 名無しさん@1周年 : 01/09/25 00:21 ID:gIgDUzWw
LDDって何のためのレイヤーですか?
60 : 名無しさん@1周年 : 01/09/25 00:37 ID:9FYzQxEk
LDDってインプラのレイヤでしょ?
61 : Todo : 01/09/25 00:53 ID:zYz2N7wo
>>59
LDD って lightly doped drain の略で、SD拡散層に追加して
ゲート側に浅い低濃度拡散層を形成するMOS構造の一種です。
ていうか、こうしないとサブミクロンデバイスではまともな素子が
作れないので、最近のMOSはどれもLDD構造をもっているはずです。
62 : 苦学生[lk] : 01/09/25 06:05 ID:ktQ90Ibk
一応一通り「図解雑学 半導体」を読んだんですが、半導体ってすごい
ものですね。10mm四方の基盤の上に半導体を使った部品が1000万個も
並んでいるんですね。驚きました。引き続き、「電気・電子のしくみ」
を勉強します。
63 : 名無しさん@1周年 : 01/09/26 00:16 ID:FAvoYB06
いちいち驚いてるんじゃねーよ
さっさと勉強して、一人前になるんだよ
64 : 名無しさん@1周年 : 01/09/26 00:17 ID:FAvoYB06
SDって何の略だっけ?
65 : 名無しさん@1周年 : 01/09/26 01:14 ID:wHd9DRQU
ソース・ドレインでしょ。たぶん。
半導体の用語はメーカー(会社)ごとに方言あるよね。

あと図解雑学ははっきりいって教科書にはならんよ。中高校生向けだし
新人オペレーターレベルと思う。読み物としてはいいけど勉強にはならない
日経とかの専門誌ためしに読んでみたら?わかんなくても見てれば何かの役に立つかも
あとは大学の教科書レベルのやつ。でもグローブは難しすぎるしね。
そういえばジーさんそろそろ新しい本出すらしい?英語読めるならそれもいいかも??
66 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/09/26 07:03 ID:/Q8/1mqI
まあでも、何事にも順番ってのがあるかと思うが。そうでないと、雰囲気すら
つかめないと思うのだが。(「図説」読んで驚くことがあるなら、、、)

日経とかの専門誌は、「日経マイクロデバイス」とか「日経エレクトロニクス」
とかになるのかな?
67 : 名無しさん@1周年 : 01/09/26 20:59 ID:Krn6jR7M
ごめん、図説ががダメとはいわないけど、かなり簡略化してるでしょ。
だからそれで飯を食うんなら、それだけではやっぱまずいと思う。
順番としてはいいけど、その先に必要な専門書ってなにがあるかな~と。
グローブ?ジー??いきなりだと難しくない???
そのつなぎになる本って何があるかなぁ・・・いい本あれば教えてください。
俺も読みたい。
68 : _ : 01/09/27 23:52 ID:K/4/c04o
>>67
グローブやジーの手前にあるものとしては、
「半導体デバイスの物理」岸野正剛 著 ISBN 4-621-04024-3
などはどうでしょうか。私は下地系プロセス開発エンジニアですが、
非常に役に立ちました。ちなみに同時に買ったグローブはほとんど
読んでません(^_^;)
難し過ぎず、かといって概略的になりすぎず、グローブやジーに
ハードルを感じている人には悪くないと思います。
ただし、大学で習う程度の電磁気学と固体物理学をある程度理解して
いることが前提になります。
69 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 00:30 ID:ji.ScUT6
シリサイド、サリサイドって何ですか?
70 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 00:44 ID:SQ7.ezTE
SSTってなんだっけ??
71 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/09/28 09:35 ID:LzOsBlO.
>>70
SST(Silicon Storage Technology)社
会社名でいいのかな?
ごーぐるでたくさん引っかかるよ。
72 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 18:35 ID:KZo60rOM
>>67
もしかしたらどこかで見たことあるかもしれない。探してみます。
グローブは基礎にはなるけどすぐ役に立つという感じはしないですよね。難しいし
まだジーさんのほうが役に立つ感じです。でも、えーご・・・・
>>68
サリサイドはゲートの上のPolySiの抵抗を下げるために金属との化合物にするもの。
コバルトサリサイドとかチタンサリサイドがあると思った。
詳しくはしらないんで膜屋さん、よろしこ。
>>70、71
スーパフラッシュ?だっけか?TSMCとかにライセンスしてるとか聞いたような気が
0.25のフラッシュがそうだった気がする。知ってる人はよろしこ。
73 : _ : 01/09/28 20:43 ID:Bzz8fl/k
>>69
シリサイド(silicide)はシリコンと金属の化合物の総称です。
サリサイドはSelf Aligned Silicideのことで、自己整合シリサイド
とでも訳されるのかな?表面にシリコンが露出する部分を選択的に
シリサイド化する製造プロセスのことです。
現在の半導体プロセス(とくにロジック)で使われるシリサイドは
ほとんどサリサイド技術で作られるので、同じ意味ととらえても
大きな間違いはありません。
72さんが言われているように、種類としてはWSi,TiSi,CoSi,NiSi
などが一般的です。御利益はシリコン(基板やPoly-Si)との接触抵抗
が低減し高速化できることですが、一方で細線効果やメタル元素の拡散
による接合リーク増大、表面sensitiveな反応のため頻発する形成不良、
などなど、制御にはいろいろ難しい点もあるようです。
74 : 苦学生[lk] : 01/09/28 21:23 ID:0pJmQAeE
いろいろ助言をありがとうございます。
「図解雑学 半導体 電気・電子のしくみ 電子回路」には一通り
目を通しました。次に大学の教科書レベルに進みたいと思うんですが
電磁気学、個体物理学に関する知識ゼロです。先に電磁気学と固体
物理学を勉強するべきですか?ああ、来年から大丈夫かな。
75 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 22:20 ID:4tQRO.zM
>>74
固体物理は難しいかもしれん。電磁気の方がまだ簡単。
デザインなら回路、それも論理とアナログをしたほうがいい。
プロセスなら半導体プロセスの勉強。固体物理はそれからでもいい。
電気回路や論理なら高専や大学一年でつかう本ならなんでもいい。
読むんじゃなくて、実際に回路を書いて手を使うこと、が大事。
公式を覚えるんじゃなくてからだで計算。論理も。
どんなのでもいいから例題を全部自分で計算しましょう。ひたすら計算!!
無理ならせめて高校の教科書レベルの物理と微積は”理解”しておこう
あとはできれば離散フーリエ変換も。
速度を微分・積分すると何が求まるか、これは高校でしたでしょ?
そんな感じだけでもいいから、フーリエはしておこう。
76 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 23:48 ID:xrKDOHfY
オペレータをやっております。
ラインに入っているスパッタ装置ですが、
Ti、TiN、Alのチャンバーがあり、それぞれ製膜で切るのですが、
なぜーか、エッチングチャンバーなる物がおまけでついてます。
なんで、スパッタ装置にエッチング装置がついているのか不思議荷に思うのですが
理由をご存知の方いらっしゃいますか?
77 : 名無しさん@1周年 : 01/09/28 23:52 ID:xrKDOHfY
DMOSってなーに?
78 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 00:30 ID:Ys/b7rvg
CoSiって何ですか?
ウチのラインにはこのプロセスがないので…。
79 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 07:19 ID:yrTHWIkU
>>76
自然酸化膜をとるから、ではありませんでしたっけ?
メタル配線する前に(自然についた絶縁体の酸化膜を)
除去する、ってことでは?

実は、昔ちらっとそういう話聞いた気がするだけで、
詳細は知りません。どなたか詳しい方いらっしゃいますか?
80 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 08:14 ID:lgiyLKqI
>79
そっか、そっか
いわれてみれば、そうかもしれない
81 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 15:36 ID:YYSzjJYM
>>77
大電流・高電圧を出せるMOSのはずです。なんかで聞いたような気がする。
詳しい方、よろしこ。

>>78
CoSi、サリサイドの一種。TiSi(タイシリ)やWSi(タンシリ)とおなじ。
たしかに俺の担当品種にはCoSi無い、でも話で聞いたことがある。
82 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 15:42 ID:YYSzjJYM
>>79
メタルって上のほうだからスパッタする下地って、層間絶縁膜とかじゃないの
自然酸化膜とるためなのかな?バリメタ付きのAlをスパッタしてるんだよね
メタル屋さん、よろしこ。
83 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 21:30 ID:dxsZnxvQ
FIB加工について教えてください。

仕事上、試作段階のチップを扱うことが多いんですが、時々FIB加工と
いうチップが来るんですよね。製造後にジャンパを飛ばすようなもの
と聞いているんですが、今時の微細パターンのチップでそんなことが
できるのか、常々疑問に思ってます。
84 : 名無しさん@1周年 : 01/09/29 23:31 ID:v8mLgujc
>83
イオンビームで配線を切ったりつないだりできるらしいね。加工は0.1um単位みたい。googleで"FIB 加工"で検索するといっぱい出てくるよ。
#ちなみに、来週FIBやります。
85 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 00:11 ID:RL70K1kM
>>84
スループットはどれ位なの?量産で使うの??
解析でSEMの断面見るときしかFIB使ったことないので。おしえて。
86 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 00:49 ID:wmTspc0Y
サリサイドの質問。
なんでサリサイドはロジックに使われて、DRAMに使わないのでしょうか?
87 : 83 : 01/09/30 03:02 ID:xf9ProWs
>>84

そうかぁ・・・なるほど、そういう技術だったんですね。
こないだ、「FIB加工だから、衝撃を与えるなよ」とか
言われたので、ホントにワイヤをボンディングしてるのかと
思ってました (^^; 。
88 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 03:02 ID:ooYyZENs
SoC(System on Chip)って言うけど、SoCは何をもってSoCなのですか?
89 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 06:43 ID:tF8CzRpE
>>86
ロジックに比べ、DRAMはシリサイド化後のスタックキャパシタ工程で高温熱処理がかかるためです。特にCoSi2は他のシリサイドに比べ熱に弱いのです。
90 : _ : 01/09/30 10:12 ID:/STkzbDY
>>89
そうですね。だからサリサイドとDRAM工程を両方やらなきゃいけないDRAMロジック混載
品などは

(1)キャパシタを先に作ってしまう(ex. ○芝のようにトレンチキャパシタにする)
(2)スタックでやるなら、キャパシタ工程を低温化する

というような選択を迫られます。確かPS2のグラフィックチップであるGraphic Synthesizer
は(1)で、Game CubeのFlipperは(2)で作られているはずです。

>>88

製造(プロセス)サイドから言えば、これまで同じチップ内に作ることが
難しかったDRAM、ロジック、フラッシュメモリ、FeRAMなどを、一つの
製造工程の中で作り込むこと、がSoCという認識があるのですが...。
設計サイドからはまた違うのかもしれません。詳しい方、教えて下さい。
91 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 12:57 ID:.LwWA8Yo
システムオンチップは大学では一昔前のシステム(制御とか)が一つの
チップにのっているんだよ。と聞きました。
あまりはっきりした定義がなさそうな言葉みたいですね。
92 : 名無しさん@1周年 : 01/09/30 23:50 ID:4GTENR.c
>89
TiサリサイドよりもCoサリサイドのほうが耐熱温度が
高いんじゃなかったけ? コバルトを添加してあるのは
DRAMの高温プロセスにも耐えられるようにするためだ
ってDRAM混載プロセス屋さんから聞いたけれども。

>90
あれ? GSもスタックドキャパシタでなかったけ?
0.18umから変わった?
93 : 名無しさん@1周年 : 01/10/01 00:46 ID:A9X.pdPY
次世代サリサイド材料として期待のNiSiは耐熱温度が低いそうです。
反応時のSi食われ量が少ないのがNiの魅力とのこと、悩ましいところでしょう。
94 : 89 : 01/10/01 01:58 ID:6JcnFnTw
>>92
> 特にCoSi2は他のシリサイドに比べ熱に弱いのです。
は正確ではありませんでしたね。WSiに比べ熱に弱いと
訂正させていただきます。
私はキャパシタ屋なのでシリサイドは本当良く知りません。
「CoSi2の耐熱が持たないから低温化しろ」と良く言われて
いたもので(^^;

>>90
Emotion Engineは確かにTさんのロジックプロセスだけど、
GSはSさんの0.25umDRAM混載プロセスだと思うので、
スタックでは?
95 : 90 : 01/10/01 22:53 ID:t2dNg4OY
>>92, 94
ごめんなさい。GSはスタックみたいですね。○芝と共同→トレンチという思いこみで
書いてしまいました。
すっごく恥ずかしいので、これから断言調で書くのはやめます。
ほんとごめんなさい。
96 : 76 : 01/10/01 23:42 ID:wuNoRWnE
今日、調べたらスパッタ装置のエッチングチャンバーの役割は、
メタルスパッタ直前に、ウェハーに乗っかってるメタルの表面付近の
自然酸化膜を除去して、スパッタメタルとのコンタクトを向上させるためらしい。
Al酸化物が主な対象らしいよ。
97 : 名無しさん@1周年 : 01/10/03 21:20 ID:KRQIGPwo
このスレッド勉強になるんですが、みなさんトピックを提供してください。
98 : 名無しさん@1周年 : 01/10/03 22:16 ID:.JcoT92M
反射防止膜って何のためにあるの~
99 : 名無しさん@1周年 : 01/10/03 22:28 ID:wm/2WZZM
>BARCとかTARCのこと?
100 : 名無しさん@1周年 : 01/10/03 23:04 ID:07iq5oes
半導体膜の種類についてですが、
酸化膜と言えば、SIO2系でおもに絶縁膜の用途であるとイメージできるのですが
チッ化膜は、みなさまどんなイメージ持ってますか?
というか、実際どんな目的に使われているんでしょうか?
詳しい方お願いしマーす
101 : 名無しさん@1周年 : 01/10/03 23:56 ID:rDEqJ6bg
それでは新テーマ。
Cu配線てどう?
IBMは本当にうまくいってる?
あなたの会社の開発状況は?
102 : 名無しさん@1周年 : 01/10/04 00:19 ID:rKo8Y046
100のスレッドの方が、早いよ。
ちっか膜は、酸化膜と比べて、エッチレートが異なるから
ハードマスクに使われてるんじゃないの?
あと、パッシベーションとか関係無い?
103 : 名無しさん@1周年 : 01/10/04 04:23 ID:G6QexZfM
>>100
エッチングストッパー(SAC)
酸化マスク(LOCOS,STI)
高誘電率ゲート絶縁膜
他にある?
104 : 便乗 : 01/10/04 11:57 ID:AuvIHF6I
>>98
>>99
反射防止膜って有機系・無機系ってあるけど、どういう用途で
使い分けられるんでしょうか?
105 : 名無しさん@1周年 : 01/10/04 19:46 ID:zTYMLxzo
>>103
パッシべーション。
106 : 名無しさん@1周年 : 01/10/04 23:08 ID:rKo8Y046
なるほーど
サンキューです103

そういえば、製造ウェハにストレスマイグレーションというトラブルが発生しました。
たまーに、配線に括れが出来ている程度ですが、
詳しい方がいたら、経験談などお願いします。
無理?
107 : 名無しさん@1周年 : 01/10/04 23:51 ID:rKo8Y046
反射防止幕は、リソ工程の制度アップ目的でしょ
108 : ☆ミ[0] : 01/10/05 14:04 ID:TEKXkW1I
>>107
うーん、それは充分理解しています。
ただ、そこで有機系・無機系の2種類があって
何を基準に使い分けているのか?という質問なのです。
109 : 名無しさん@1周年 : 01/10/05 19:05 ID:4VeLiDtk
有機系は主にウエットエッチングで使われます。
有機系+感光材入れて現像のときに一緒にパターンつけちゃう。
んでもってエッチング。
レジストの上につけても下につけてもいい。

無機系(メタルとか)だと最初に膜をつける。これが同時
に配線のサンドイッチ構造の上の方(マイグレーション防ぐ)
の役目をしたりするの。
そんでその上にレジスト乗っけてパターン切ってドライエッチング
だから上につける反射防止膜に無機系は使わない。のかな?

こんなんでよろしいか>108
110 : 22 : 01/10/05 19:12 ID:ccO82Muo
それは
http://www.max.hi-ho.ne.jp/%7Ehttp/
111 : 108 : 01/10/05 23:10 ID:TEKXkW1I
>>109
さんきゅーっす。
あたしゃぁ、ドライエッチのプロセス担当なのですが、
レジストの下地に有機と無機、両方のパターンがアルです。
有機系だと一緒にレジストもエッチしちゃうんでコマルです。
無機系だとエッチするときに選択比と均一性がキツイです。
エッチング屋にとっては「そんなもんいらねぇ」ってカンジです。
112 : 名無しさん@1周年 : 01/10/06 22:13 ID:b80Myg7w
とはいっても、超微細加工には、リソ制度がかなりの重要ファクターでしょ?
113 : あふがん : 01/10/06 23:02 ID:r9QlmB7E
イオンコンタミ
114 : 名無しさん@1周年 : 01/10/07 00:55 ID:CmWZbLiY
>>112
そりゃ、そうだけど...
昨今、レジスト様は微細加工のあおりでどんどん薄く・柔らかくなる
始末。しかも反射防止膜なんぞ入れやがって....。

レジスト厚くてリソきちんとあけてくれりゃあ、
細穴・深穴なんでもエッチしちゃるわい。
結局はエッチング形状とレジスト選択比のトレードオフ。
エッチングされないレジストがあったらすげーこと出来そうなのにな。

0.5umの1umの穴堀していた頃がナツカシーな。
115 : 蝉根野郎 ◆s3Xc8EjM [sage] : 01/10/07 05:00 ID:bm4Hb.Pk

0.25umとか0.18umが平気で出てくる世の中だからねえ。
レジスト厚くするとリソグラフィで無理が出るし。
116 : 蝉根野郎 ◆s3Xc8EjM [sage] : 01/10/07 05:03 ID:bm4Hb.Pk

その一方で、クリーンルーム内に少年マガジン持ちこんで
即刻クビになるような馬鹿もいる。
117 : 名無しさん@1周年 : 01/10/07 15:25 ID:46lnGe3.
おお、私いまだに0.5μmのエッチングしてます。
どーしましょー
会社にだまされた、0.1μmとかやるような事言ってたくせに、
入社したら、0.5μmのルールで仕事してるラインだった、、、、、
118 : 名無しさん@1周年 : 01/10/08 05:43 ID:INKvl0eE
0.5と0.25だとどれ位違うの?プロセスが全く違うの??
119 : 名無しさん@1周年 : 01/10/08 14:24 ID:JH9r5M9Y
いや、プロセスの一部が多少違う。
問題になる要素は、線幅が太い分楽な方にシフトしてくる。
古い装置でも、何と加工が可能です。
120 : 名無しさん@1周年 : 01/10/09 01:04 ID:fyZlfCoE
クリンルームに持ち込んだすごいもの情報キボーン。
いまのところ、マガジン・タバコ・バースデーケーキなどです
121 : 名無しさん@1周年 : 01/10/09 03:12 ID:n.z4XM2Q
大学で今0.13やってるよ
122 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/09 09:16 ID:UvsJMNt6
>>120
そのねたは別スレで進行中なり。
http://mentai.2ch.net/test/read.cgi/kikai/990104826/l50
そっちでよろぴく。
123 : 名無しさん@1周年 : 01/10/09 23:21 ID:Gc.ey.6U
せんべい!
124 : 名無しさん@1周年 : 01/10/10 01:47 ID:5xaSQ/MU
>>121
0.13umはそろそろ量産に移行するデザインルール。
学会は0.1um以下の発表が多くなっており、大学レベルだと今更という感じもするが。。。
125 : 名無しさん@1周年 : 01/10/10 23:27 ID:udZV4yiI
通常のDRAMとロジック混在のDRAMとでは、何か違いがありますか?
ロジック混在でも作りやすいプロセス的な工夫があるのでしょうか?
DRAMテストは、どうやってるの?
126 : 名無しさん@1周年 : 01/10/12 19:10 ID:jPCWXQBM
125のネタがつまらなかったのかな...スレの活気が下がっちゃった。
ということで、新ネタ。
半導体製造装置(なんでもよい)で、プラズマを使用している人に聞きます。
「ノイズ」ってどう対処しています?
圧力センサーとかに干渉しちゃって大変なのさ。
ノイズのモードも2種類あって、なんつーか...
徐々に変化していくものと、パチッと一瞬だけのものとある。
だいたいは、グランドを見直したり、フェライトコアかませて
対処するんだけど、「パチッ」ってヤツだけはどうにもならん。
もし良かったら、みなさまのノイズ対策を聞かせてくだされ。
127 : 名無しさん@1周年 : 01/10/13 00:53 ID:BT5a/06c
おお、そうそう、ノイズによる被害うちでもありました。
おれは、その装置の担当じゃなかったから(エッチ屋の担当)あまり良く知らないけど
今度詳しく聞いておくよ。
128 : 名無しさん@1周年 : 01/10/13 04:42 ID:GrxN0ZqE
VDECの0.13は今回限りだよ
今後は0.18or0.15だって
やっぱ難しいのかな
129 : 名無しさん@1周年 : 01/10/14 11:42 ID:iPXRqL6m
>>128
大学で0.13umやる必要性ってあるの?
プロセスパラメータ弄れるわけでもないし、大規模な回路だとまともな
ものを作ろうとしたら、人的資源が厳しいし。

そもそも、値段が高い。
130 : 名無しさん@1周年 : 01/10/14 17:54 ID:usw56Ye4
STARCとの産学研究です。
8月にレイアウトのルールファイルおくってきて
きの締め切りって間に合うわけなかと
131 : 名無しのベテラン : 01/10/15 12:07 ID:fjMLgJJp
>117 0.1と0.5um
 0.1umはコストが上がる。0.5umの製品があるなら、そちらの方がずっと
儲かる。材料や装置の価格などがずっと低くて技術も安定しているから。
 ただし、需要がなくなる可能性は常にあるから、0.3-0.25umへの
切り替えのタイミングが難しいと思います。
132 : 126 : 01/10/15 14:25 ID:5/TlaRJR
>>127
れす、ありがと。
情報よろしくね。
ちょっと半導体技術とはスレちがいカモしれないけど、
半導体製造装置ネタということで良し。
133 : 名無しさん@1周年 : 01/10/15 21:27 ID:4qyYbN2+
ワイピングクロスで鼻かんでるやついる?
134 : 名無しさん@1周年 : 01/10/15 21:51 ID:iN7GeiG4
ベンコットンならいるヨ!
135 : 名無しさん@1周年[h] : 01/10/15 23:18 ID:9n9lS5Ta
p型Si基板はなんでn型Si基板より酸化速度が速いんでしょうか?
ドーパントが酸化速度に与える影響とは一体・・?
136 : 150 : 01/10/16 01:09 ID:TJlG9ig5
BPSGって、なんでわざわざ、bとpを導入するの?
137 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/16 16:55 ID:52v0l2FO
>>133
経験談。ベンだと質が固いので鼻の皮がむけて更に悲惨。
キムワイプのほうがまだマシ。
理想は、布みたいなタイプ。(高いヤツ)
138 : 名無しさん@1周年 : 01/10/16 23:26 ID:1A3pjzDh
Wデポについて教えてください。
エンジニアに聞いたら、バリメタの上に成長するんだ、といわれました。
工程ではWデポと言うのでイメージでは普通のデポで上に降り積もらせるイメージだったのですが
そうではないのでしょうか?なんか特殊なものなのでしょうか。
どうかよろしくお願いいたします。
139 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/16 23:31 ID:3YNEFxI6
2chって以外と専門的なこと質問するとレスこないよなあ。
院レベルでも同じことやってる人の絶対数はそんなにすくないのかなあ。
140 : 名無しさん@1周年 : 01/10/16 23:53 ID:peO78OVU
>>136
既出。35-38を見よ。
141 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/16 23:57 ID:peO78OVU
>>135
n型(リンドープ)の方が酸化速度は速かったような気がしますが。
詳しい人レスきぼんぬ。
142 : いずれ社会に出れば分かると思うが[sage] : 01/10/17 00:01 ID:NrACH6yL
えっとね。仕事でやってることを家帰ってからまで書く気しないんだ実際。
143 : 150 : 01/10/17 00:16 ID:DzY9/2rQ
>142
分からないなら、素直に読み飛ばしてください。
家に帰ってよむ暇はあって、もったいぶる暇もあるけど
答えを書くことが出来ないわけだから、、、、、
144 : 名無しさん@1周年 : 01/10/17 23:10 ID:DzY9/2rQ
すいません、SEMに詳しい方がいたら教えてください。
ALスパッタ後のwafer表面をs-5000などの顕微鏡で観察したいのですが
あまりうまい事画像がでません。
フォーカスはあってるんですが、なにか特別な処理とかコツがあればお願いします。
145 : 名無しさん@1周年 : 01/10/17 23:57 ID:vtzQ/iVY
チャージアップしてるんでないの?
スティグマとか弄りまわしてみた??
SEM詳しくないけど。
146 : S-5200 : 01/10/18 00:20 ID:BzxsBVZc
>>144
軸がずれていると思われますな。
アパーチャーアライメントの調整してみれば?
その後、Focus、StigmaX、Yを繰り返し調整し、少しずつ高倍率に
していくのだよ。ギャハハハハ。
あまりうまいこと画像が出ない という表現もいまいちわからないので
具体的に教えて。ギャハハハハ
147 : 名無しさん@1周年 : 01/10/18 22:43 ID:d+3R5o/e
144です。
どうも、すてぃ熊もあぱー茶も、しっかりあってます。
ただ、ってことは、俺のウェハー表面はホントにつるつるかい?
ところで、s-5000って解像度高いですよね、
みなさん、いったいどのくらいの倍率まで自信を持ったSEM画像を取れますか?
おれの最高は200kでとった断面写真。
さー、腕に自信のあるSEM職人のみなさま、コメントを!!
148 : 名無しさん@1周年 : 01/10/18 23:02 ID:OSatKl+8
>>147
SEMのフォーカスが合わないほどつるつるなの?
そうならSEMの限界ですね。
表面荒さ計かAFEかADEのウエハー形状測定装置で
観察することをお勧めします。

SEMは写真として見られる像で100kが最高です。
(Siウエハーじゃないです)
Osスパッタしないと高倍率いかないんだよなぁ。
149 : 名無しさん@1周年 : 01/10/18 23:03 ID:OSatKl+8
観察ぢゃなくて、測定だった。
AFEぢゃなくて、AFMだった。

逝ってきます・・・
150 : 名無しさん@1周年 : 01/10/19 00:05 ID:F/iREIMu
0.15μmプロセスとか0.13μmプロセスって
どこの長さのことをいってるのでしょうか?
151 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/19 00:12 ID:2PiDF/Sp
精子のシッポ
152 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/19 00:39 ID:2AcNKc0U
>>150
通常はゲート長。
153 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/19 01:02 ID:h7CjSFH8
あれ? sage が機能してないぞー
154 : 名無しさん@1周年 : 01/10/19 01:08 ID:OWB1IKWS
かってにさげんなよー
えー、だっておれ、200kで余裕で映るぞ!!
すてぃ熊とアぱの調整、最後は液体窒素ジャンジャン使えば200kの壁も超えます。
155 : umu : 01/10/19 01:26 ID:Gwf2iNlc
加速電圧は何KVですか?
S-5000で1KVなら×100Kですよねー
×200Kも撮れないけど、サンプルによりけりのような感じですな。

加速電圧1KVでのちょっとしたテク(メンテマンから教えてもらた)

Focus、アパチャをあわした後、対物可動絞りのX及びY方向のつまみを
少しだけ前後に動かす。すると像がよりきれいになるポイントがあります。
ただし、大きく動かしすぎると完全にずれてしまい、とんでもないことになりますwww
156 : ゲート屋 : 01/10/19 01:33 ID:XZMzkfT2
>150
DRAMだったらハーフピッチサイズ
LOGICだと昔は、設計ルール=物理ゲート長だったが、
最近の0.13μmとか0.15μmクラスになると設計ルール>物理ゲート長。
だから0.13μmルールでもLg=0.1μmなんてことも。
ゲートは孤立パターン(くし型のゲートは除く)なんで露光とかエッチングでほそくなるんですう~。
まあロードマップでも見てちょーだい。真っ赤なところ矛盾だらけだけど。      
157 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/19 05:11 ID:pAFHJPO3
>>154
キミは sage を誤解してると見た!
158 : 名無しさん@1周年 : 01/10/19 22:49 ID:OWB1IKWS
ほげー、そんな裏技があったとは
おれは、加速電圧10kvで使ってた
これで、スパッタぶりぶり沢山つけると、200kでもきれいに取れますが
ptのいぼいぼが大きくなってしまうので、みててグロテスクな写真が取れる
159 : 名無しさん@1周年 : 01/10/20 01:26 ID:n9kRappI
おれ一度自分の精子を顕微鏡とかSEMで見てみたい・・・
光学顕微鏡ならすぐ出来そうだけど、だれかやった人いない?
160 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/20 01:48 ID:ENRsudGp
>>138
セレクティブW-CVDのこと?
下地選択性をもったCVD成長じゃなかったっけ
MOCVDかなんかで、絶縁膜上につけなくて金属膜上にだけ堆積させる技術。

うろ覚えにつきSage
161 : 名無しさん@1周年 : 01/10/20 02:05 ID:RtzPaAYj
誰か
>>135
の質問に答えてYO。
162 : 名無しさん@1周年 : 01/10/20 22:34 ID:ov2Rg43Y
mocvdって、どういう背景で必要性があるの?
いまあるCVDでは、なぜゆえだめなの?
163 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/21 02:48 ID:kECFcUGc
こんなの拾いました。>MOCVD
ttp://www.ees.nagoya-u.ac.jp/~web_dai1/CVD.html
ttp://www.sanso.co.jp/electro/window9.html
ttp://www.pvtec.or.jp/gaiyo.htm

Siではなく、GaAsとかの(III-V族?)化合物半導体上で使う?
太陽電池とかに絡んでる?(CVDの一種ではありそう。)

この前お師匠さまからお聞きしたキーワードが頭に残っていただけ
だから、ぜんぜん詳しくない、スマソ。
164 : 名無しさん@1周年 : 01/10/21 14:54 ID:FTpSMgiQ
>>162,163
MOCVDのMOはMetal Organicの略で、有機金属化合物を原料に
するCVDの総称。
例えば、GaAsだったらTMG(トリメチルガリウム)なんかを使う
CVDをMOCVDと呼ぶ。

160さんが選択W成長をMOCVDでと言っているけど、これはWではなく
下のバリアメタルのTiNをMOCVDで成膜する事を言っているのでは
ないかな。
165 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/21 20:22 ID:9U3PM6wh
Cu&Low-K材ってなんで必要なんだ。
汚れるじゃねえか。
166 : 名無しさん@1周年 : 01/10/21 20:37 ID:1K58q/uo
>>165
RC遅延とEMとコストが理由

配線間の信号の遅れを少なくするために、アルミより抵抗の低い
材料である銅を使う。これでRの遅延を少なくする。
また絶縁膜の誘電率も低いほうが、、信号の遅れがすくなくなる。
でSiO2でなくLow-kをつかう。これはCにきく。

現在量産されている、アルミ配線も少し銅が入っている。
理由はエレクトロマイグレーション(EM)の耐性を高めるため。
EMとは、電子の動きによって配線が断線する現象。
銅はEM耐性が高いといわれている。

Cuはアルミと違いダマシン法といる手法で配線形成をする。
このとき、ビアとトレンチの2層を同時につくる、デュアルダマシンという
方法を使うと、工程数が減るので、コストが下がるといわれている。
ほんとのとこは不明。

間単に説明すると、こんなもん。

で、MOCVDのCuとかバリア膜(Ta(N)、TiN)とかホントに使えんの?
だれか教えて
167 :   : 01/10/21 22:12 ID:Zef36cIB
基本的なことだけど、
なんでCで遅延するの?
電荷の充放電があるからって
ことらしいけど、イメージが掴めません。
168 :   : 01/10/21 22:14 ID:Zef36cIB
誘電率落としたら絶縁膜としての
役割果たさないんじゃないの?
169 : おいおい : 01/10/21 23:15 ID:9U3PM6wh
>>166
ありがとう。
MOCVDのCuはみたことない。
170 : 名無しさん@1周年 : 01/10/21 23:27 ID:JfOvdPK8
>>167 >>168
晒してほしいのか? リアル厨房なのか?
171 : 名無しさん@1周年 : 01/10/21 23:31 ID:RlmZmg/C
静電気(誘電率)とオーム抵抗(導電性)をこんがらがってると見た!
172 : 160 : 01/10/21 23:40 ID:wc/xivV3
>>164
セレクティブWのプリカーサはMOじゃないんだね。 了解。


>>166
TiNのMOCVDはとにかく安くできるみたいだよ。
そのかわりバリア性がいまいちよくないらしい。
我慢して使ってるとこは、なんらかのノウハウがあるのだろう。
おもいっきり厚くつけるとかね。
173 : 167=168 : 01/10/22 00:57 ID:qEmnMRNF
わからないのでマジで教えてくれ。
174 : まてりある : 01/10/22 03:40 ID:DbG6sVgS
>>172
厚くつけるんですか?
175 : 名無しさん@1周年 [age] : 01/10/22 17:28 ID:beKOwblM
アンチモンドープのウェハーってどういうモノなんですか?
アンチモン(Sb)自体がどういう物質なのかわからないので教えてください。
176 : 名無しさん@1周年 : 01/10/22 18:12 ID:vfHh+kOm
>>174
よくわからない。厚くしてもだめなのかもね。
177 : ゲート屋 : 01/10/22 18:28 ID:5lqlDq9L
>>167
でかいバケツは水ためるのに時間かかるでしょ。
C:キャパシタ→バケツ
電流→水
178 : 名無しさん@1周年 : 01/10/22 19:43 ID:6LcznaHN
直流半導体
179 : やくると : 01/10/23 00:23 ID:SSwzqAal
CMPって必要か?
金食い虫だし、汚れるし。
代わりの技術ないの?
180 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/23 00:56 ID:tsuXU48v
>>179
エッチなバック
181 : 名無しさん@1周年 : 01/10/23 02:33 ID:hm3WlEfF
>>175
SbはAsやPと同様にSi中ではドナーとして働く。
他のドナーと比べて拡散しにくいので急峻なプロファイルが必要なNMOSのS/D ExtentionやPMOSのチャネル(SSR or halo)に使われてるよ。
182 : 名無しさん : 01/10/23 02:36 ID:SSwzqAal
>>180
意味がわかりません。
教えて下さい。
どんなものですか?
183 : 名無しさん@1周年 : 01/10/23 04:12 ID:lR5m8Zda
>>181さん
Sbって日本語に直すと何ですか?
AsやP、Bのようにヤバイ物質なんでしょうか?
184 : ヨコレス : 01/10/23 04:36 ID:z8NzSR/0
記号は「すてぃびうむ」
意味は古代エジプトのアイシャドウ
目の涙の水分にまとわりつく虫よけとして
黒っぽい鉱石(硫化アンチモン)を粉にして塗った。
「あんちもん」は?
185 : 名無しさん@1周年[444] : 01/10/23 10:18 ID:ZUMxMmeY
>情報数理研究者(京都府勤務 会社員) http://bbs9.otd.co.jp/kazumoto/bbs_plain
> 2001年08月31日

> 情報数理研究者 京都府勤務 会社員です 34歳に
> なります ところです

> 高等教育 メールフォーラムで 社会人教育研修を 卒業した
> 井口先生が 掲示板研究所を 設立しました 議論の顧客として
> 議論研究に はじめています さっそくです 開発
> テーマを 精査しています クオリアについて
> 貴重な議論を もらいました センター試験における
> 研究問題を 今日は取り扱いました

> 議論研究をおこない 開発テーマを 精査して よい
> 研究テーマを 仕上げたいです どうか メールフォーラムにて
> 研究してます 大学の先生がた にも 議論研究して
> もらえれば ありがたいように おもいます

> 井口先生の WWW研究所 ホームページ 掲示板は
> メールアドレスが ここに あります
> http://bbs9.otd.co.jp/kazumoto/bbs_plain
186 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/23 21:14 ID:SSwzqAal
Sbってアンチモンでしょ。
ちなみに、毒だよ!
187 : 蝉根[sage] : 01/10/23 21:27 ID:5OmTWcMC

CMPは平坦化のためにはやっぱ必要なんだわ。コレが。
代わりの技術は・・・179が言ってるエッチバックが考えられるけど、
これも何かと問題あり。

エッチバックってのはアレだ。層間絶縁膜をメッチャ厚くして、
全体をエッチングすることで平坦化しようっていうプロセス。
188 : 蝉根[sage] : 01/10/23 21:33 ID:5OmTWcMC

「アンチモン」の語源は「アンチ・モンク (反僧侶)」だったかな。

186が言ってるように毒ざんす。製造ラインから持ち出さないでね!
つーかどこの会社の製造ラインも薬品管理甘すぎ。怖いわい。
189 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/23 21:35 ID:SSwzqAal
>>187
層間絶縁膜を5umくらいってイメージですか?
190 : 蝉根[sage] : 01/10/23 21:45 ID:5OmTWcMC

>>189
そらプロセスによりますわな。「ブ厚く」ってことでよろしゅう。
191 : 名無しさん@1周年 : 01/10/23 23:30 ID:zHUPStyD
プラグWもエッチバックだよね。
192 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/24 00:10 ID:QODbdF7I
>>191
CMPじゃ無くなったの?
193 : 名無しさん@1周年 : 01/10/24 00:15 ID:inSrigwi
>>192
デザインルールが厳しくなるにつれ、エッチバックからCMPへ
移行するのが普通の流れだと思うが。
194 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/24 00:27 ID:QODbdF7I
>>193
アホなんで、これからも、やさしくして下さい。
195 : 名無しさん@1周年 : 01/10/24 01:38 ID:Vh5j6pMY
DRAMのプロセスでもCMP使っているのですか?
196 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/24 01:59 ID:jvu6zubT
>>134
漏れもクリンルーム内でベンコットで鼻かんだ。
で、有機溶剤付着物用ゴミ箱に捨てた。
間違ってないだろ。
197 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/24 02:45 ID:QODbdF7I
>>195
バリバリ、つかいまっせ!
三星なんかCMPが200台ありまっせ!
198 : 名無しさん@1周年 : 01/10/24 14:00 ID:jBoWfK0J
active area patterningの日本語訳とその意味を教えてください。
199 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/24 14:24 ID:j8j04f7C
>>197
サイテーだな。特定の顧客情報を流すな。
そういう教育を社員にしてる会社なの?君の会社は。
(多分)同業としてはずかしい。
200 : 協力しよう! : 01/10/24 16:19 ID:/qIVjvlr
くそガキ共の情報お待ちしております。
世間を震撼させた事件の犯人を実名で公開しております。
http://topia.yam.com/home/aoiryuyu/pages/index.html
201 : 名無しさん@1周年 : 01/10/24 16:23 ID:UR9LsqCc
http://www.f2.dion.ne.jp/~impact8/
202 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/24 16:52 ID:7fzSee+t
>>197
胴衣。せめて③☆とか...ダメ?
203 : 名も無きマテリアルさん : 01/10/25 01:44 ID:hQQVBlJE
>>199,202
教育なんて無いよ。
すまん、③☆にしておく。
204 : 名も無きマテリアルさん[sage] : 01/10/25 02:02 ID:hQQVBlJE
test
205 : 202[sage] : 01/10/25 10:53 ID:iT22X9Qi
>>197
気にするなって。
206 : 名無しさん@1周年 : 01/10/25 21:33 ID:79YkOKXE
それくらいのことは誰でも知っている。
実際の稼働率も知ってるだろう?
あえてみんなこういうとこに書かんとは思うけど。
ひとつの日本の会社でずっと働いてるひとにはわからんと思うけど
この業界すごくせまいのよ。俺は半導体業界で10年程度しか働いて
おらんけどかつての同僚、上司のネットワークでどこの装置屋、デバイス屋
でもお互いの状況はわかってるよ。
それを商売に利用しないのは仁義だな。
207 : 名無しさん@1周年 : 01/10/25 23:16 ID:qoOLj3Iz
>>206

同感、現在某外資にいるけど、外資系コンペ、装置、EDAベンダーとか
いたるところに知り合いいるから、お互いの状況は筒抜け。
何かのイベントやショーなんかで一同が顔をそろえると
同窓会みたいになることが多し。
208 : 名も無きマテリアルさん[age] : 01/10/26 01:24 ID:d8IlDrsN
ふーん。
そんなものかいなぁ~。
209 : 半導体屋さん@ピンキー : 01/10/26 04:41 ID:V+sxi8om
”スパッタ”を間違って”スッパタ”ってタイプすることたまにあるよね?
210 : 名無しさん@1周年 : 01/10/26 20:12 ID:BOJfBQOx
>207 そうだろ?俺も昔いた会社の
知り合いがあちこちで同じようなことやってるよ。
困ったときは相談しあうこともある。
だからプレスリリースやセミナーでいい加減なこといったらいかんよ。
顔に出さんだけでデータの裏まで知っててもおかしくないよ。
でもまあ本当にやばい話はしないようにしている。
知らないでもよいことを知っていると面倒なこともあるから。
211 : 199 : 01/10/26 20:49 ID:8B9pSghP
>>206 誰でも知っているのはそのとおり。
競合の稼働率だってある程度わかるよ。もちろん。
俺はもう15年以上働いてるからそのネットワーク持ってるよ。

仲間内ではなすのと、聞き耳を立てている(ROM)人がいる中で話すの
は違うよ。だからあえて非難してみただけ。
なにも足をすくわれることをわざわざすること無いという老婆心。
212 : 名も無きマテリアルさん[age] : 01/10/27 02:12 ID:h+s1oGwE
話を戻しましょう!

今後、知っておいたほうがイイと思われる知識、技術、新トレンドが
あったら教えて下さい。
213 : 名無しさん@1周年 : 01/10/27 08:18 ID:Ws1ifg9n
sm
214 : 名無しさん@1周年 : 01/10/27 10:00 ID:SNqncsmq
MRAMっていつごろものになりそうなの?
215 : 名無しさん@1周年 : 01/10/28 10:07 ID:fkgAsbcc
トレンチって今でも使っているんだろうか…。
216 : 集積回路屋 : 01/10/28 15:44 ID:JrQj7P3l
>>177
これをオームの法則を使って説明できらば、もうオームの法則の理解は完璧
よ。
217 : 名も無きマテリアルさん[age] : 01/10/28 17:27 ID:B6XKCXPG
>>216
できるの?
218 : AVR : 01/10/28 18:47 ID:0XxTzNj/
むむむ。
219 : 名無しさん@1周年 : 01/10/28 21:27 ID:1PVbR9Ee
寄生容量があると高周波分は逃げてしまうから
立ち上がりの急峻なところがだら上がりになって
結果として閾値またぐまでの時間が遅れるという
ことです。インピーダンスとフーリエ級数のおさらい
するといいよ。
220 : 名無しさん@1周年 : 01/10/28 21:28 ID:1PVbR9Ee
トレンチ使ってようがー
東芝は伝統的に「まだ」トレンチだろうがー
221 : 集積回路屋 : 01/10/29 12:36 ID:OcmkrdjD
回路解析で直流解析、交流解析、トランジェント解析があります。基本は全て
オームの法則です。またトランジェント解析は、時間軸でポイントの時間で観る
と直流解析です。交流解析は、直流バイアス電圧を無視した場合で、回路定数が
周波数に依存しているだけです。これも基本はオームの法則です。このように
色々と解析がありますが、オームの法則が使えるまで回路図を等価すればやさし
く扱えるようになります。では試しにどうぞ。
222 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/29 16:45 ID:LRqubtKo

   ┌────○  ← /○────┐
   │              /            │
   │            ○              │
   │            │              │
  ━┷━ C     ━┷━ C        ━┷━ V
  ━┯━       ━┯━            ┯
   │            │              │
   └──────┴───────┘
223 : 名無しさん@1周年 : 01/10/29 21:15 ID:N6NsB792
>ミラー積分でOPAmp出力とCの間にRと同程度の抵抗R'を挿入、出力端子はR'とCの接続点とする

普通は下のような回路を想像しないか?高周波側の位相をケアする常套手段ではあるが。
ま、アクテブフィルタは積分回路ではないと言われればそれまでだがおれはこの回路を想像して読んでた。
この回路なら出力がステップ変化するぞ。

        ┌---C---R'---┐
        |         |
  ---R---┴----μ>-----┴-----
224 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/29 21:19 ID:IqT2/tX+
わりい。書き方を参考にさせてもろたらあげまちがった
225 : デジタリアン@悲しい : 01/10/30 00:23 ID:pQTUAmBZ
論理合成屋とか、検証屋とか設計屋とかいないのかな?
system cダウンロードした?
226 : 名無しさん@1周年 : 01/10/30 01:17 ID:jGsKWdmN
verilogやvirtuoso、アポロとか
つかってますが
227 : 名無しさん@1周年 : 01/10/30 01:32 ID:li5lijHS
サンか‥
228 : 名無しさん : 01/10/30 01:59 ID:arSUpGkO
チャネルとチャンネル。
229 : 名無しさん@1周年 : 01/10/30 23:08 ID:+y6rmOTG
>>225
仕事では当分使いそうもないから、家で2.0をダウンロードしてみた。
Yet Another HDLって感じ。Verilogよりは良さそうだけど。

フリーでシミュレーション・エンジンまでついてくるのは良いけど、
単体では動かすだけだなぁ。
だれか SystemC RTL->Verilog RTLトランスレータとか
SystemC<->Verilogブリッジ フリーで作ってくんないかな?
230 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/10/30 23:26 ID:9HAP+0m6
家でダウンロードか‥
むなしくないか?
おれはようやらん
231 : 名無しさん@1周年 : 01/10/30 23:48 ID:3ljv1IYX
をいをい、それを言っちゃったらこのスレ続ける気力が…
232 : まてりある[age] : 01/11/04 05:11 ID:7vtWkDIk
ディスコが開発している、CMPにかわるドライ・ポリッシュ装置って
どんな感じですか?

イメージでは、ブレード、ボールSiの感覚で開発しているかから
表面が傷だらけのような気がしてならない・・・
233 : 名無しさん@1周年 : 01/11/04 21:41 ID:NRxn+ljF
>>225
へい、論理合成&配置配線&検証&流動屋さんです。
ISOの品質保証がかったるいです。

それはそうとして、System-Cってダウンロードしました。
結局のところ、マルチスレッドなC言語です。
それにVerilogっぽい変数を、クラスライブラリで
作成したってところですね。
現状では、System-C を論理合成して回路へ持っていくのに
大量の工数が必要なので、論外だと思います。

ただ、そんなに速度が必要でなくって、チップサイズに制約が
無い場合には、タコな論理合成をしてもオッケーなので、
数年後には、一部のハイエンドを除いて、System-Cから直接
論理合成ってのがあたりまえになってるかもね。
(もちろん完全同期設計が条件になる)
234 : 229 : 01/11/05 06:36 ID:mwHnbPEZ
>>233
System-Cの論理合成ツール持ってます?
wait();
process1();
wait();
process2();
みたいにスレッド書いて合成するとパイプラインが出来たりします?
或いは
process1();
process2();
と書いてサイクル数を指定したりとかで。

VerilogってRTL以上を書くのに禿げしく不向きだからSystem-Cに期待。
235 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/05 07:59 ID:zBKYOop5
handoutai gijutuka?
236 : 229[sage] : 01/11/05 22:41 ID:9ldV2mzL
>> 235
半導体技術でないの?
細かいこといったら、上地だって半導体じゃないし(屁理屈)
STARCとかが扱うテーマもシステム系増えてるし。

ズィーとかグローブとかだけでなく、
パターソン&ヘネシーとかタネンバウムとかも読もーよ。
237 : 233 : 01/11/05 23:27 ID:UMZ50jLe
>>234

いえいえ、論理合成ツールは持ってません。
一応、販売はしているらしいが…
とりあえず、情報が入ってこないところを見ると、使い物になるような
論理合成はできないのでしょう。
(誰か評価レポート書いてください)

System-Cとは別のC言語合成ツールを1年くらい前に使ってみたけど
ぜんぜん使い物になりませんでした。
C言語ベースの回路を一旦RTLレベルの記述へ人間が変換したあとで
Verilogへ自動変換してくれるのですが、C言語のRTLレベル記述というのが
Verilogそのもので、かなり意味がなさげでした。
今のバージョンでは、賢くなっているのだろうか…

将来的には、プロセス技術の革新によって、C言語ベースの設計が表舞台
にでてくるのかもとちょっと思ったりしてます。
238 : プログラマーで悪かったな! : 01/11/06 04:36 ID:vIriVFGl
小学校んときよ、友の家の商売が代書屋でよ、家の隣が村役所と警察よ。
あ、いや、別にあんたらがそんなレベルのお仕事だつう意味で言っ
てんじゃ無いんだ。誤解しちゃ困るよ。ただね、
239 : 233 : 01/11/06 20:20 ID:dLPLnGfe
いつのまにやら、synopsysからsystem-cの論理合成関連のドキュメントが
配布されていた。
そういうわけで、今日じっくり見てみます。
240 : 229 : 01/11/07 00:12 ID:ACGm12WT
結局RTLならVerilog/VHDLで間に合ってしまうから、
システム系言語はビヘイビア合成ツールと組み合わせないと
意味なさげですね。

そういう面ではSynopsysが有利かな?
将来的に、ビヘイビアからフィジカル合成までツールが統一されれば
強力そう。
システム側の実装(ファームとかドライバとかのソフト)は
やっぱり普通のC/C++で書かなきゃだめなんだろうなぁ。
241 : 名無しさん@1周年 : 01/11/07 01:22 ID:hm8QVfEg
BPSGのCMPってなんか意味あるんですか?
とある工場で見つけて???って感じです。
BPSGの自体の元々の意味を考えると・・・
242 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/07 10:46 ID:Rm6zslg8
>>241
そーだよねぇ。
アニールの必要がないってことしか思いつかないけど。
でもそれに重要な意味があったりしてネ。
243 : まてりある : 01/11/07 22:27 ID:Qj2ITVSX
BPSGは、最近、たまにみかけます。
結構、CMP関連で話題になります。
CMP要らない膜にCMPする意味は、
どんなメリットがあるんですか??

だれか教えて下さい。
244 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/10 13:06 ID:3E34JhDk
>>243
最近のシステムLSIは低温化が必須で、BPSGがリフローするほど
高温の熱処理をかけられないから、CMPで平坦化を行っている。
BPSGじゃなくてHDP-SIOでも良いけど、前世代からの流れで
BPSGを使っているだけと思う。
245 : まてりある : 01/11/10 17:49 ID:jC0UqCuz
HDPは、均一性が悪い膜が多いとかは無いんですか?
膜付け装置メーカーによるみたいですけれども。
246 : まてりある : 01/11/12 03:16 ID:dKQ+W3F0
これって、実際のところどうなんですか?
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20011110-00000864-jij-int
247 : 名無しさん@1周年 : 01/11/13 20:03 ID:fMz3En1T
ロジック回路のマスク設計やってるけど、聞きたいことある?
248 : 協力しよう! : 01/11/13 21:11 ID:qXcIfI6t
皆様からの情報お待ちしております。
世間を震撼させた事件のクソガキ達を実名で公開しています。

http://topia.yam.com/home/aoiryuyu/pages/index.html
249 : 名無しさん@1周年 : 01/11/13 22:17 ID:KY3vyrjy
>>247
斜め配線は今後どのくらい増えていくのでしょうか?
250 : 名無しさん@1周年 : 01/11/13 23:22 ID:lJKSizLd
斜め配線ってどんな感じなの?
多層のALが縦横じゃなくて斜めになってるということなの?
251 : 名無しさん@1周年 : 01/11/13 23:48 ID:MAc0hAqk
>>250
Xアーキテクチャ
http://www.semicon.toshiba.co.jp/release/eye/2001/200108.html
最初コレ聞いたとき、垂直方向に斜めになっているのかとオモタヨ。
そんなわけないか。
252 : 名無しさん@1周年[0] : 01/11/14 00:22 ID:8nD2C3zk
VDECの今回0.18試作するひといる?
253 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/14 01:29 ID:6DfQQwiE
>>247
老後をどう考えてます?
254 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/15 00:30 ID:cUy98QTD
クロックラインとか電源メッシュとか、
配線関係はこれから発展する余地が有りそう。
255 : 名無しさん@1周年 : 01/11/18 00:27 ID:T3x+BnWQ
>>251

ありがとう。ただ配線が斜めになるだけなのか・・・・
そんなにすごいことなの?某日本以外のアジア系メーカで作られてる、
ある製品にALの斜め配線がはいってたようなのを見たような、、、、
デザインルールで一昔前の製品で。T芝のはパテントになってるのかな??
256 : 名無しさん@1周年 : 01/11/18 05:32 ID:6uWpZVBi
>>255

アナログ用のハードマクロや、メモリなんかだと今でも使われているらしいです。
(私は、アナログのレイアウト設計はしたことないですけど…)
上記のようなマクロは、特性や、レイアウトサイズが重要なので、手動配線を使って
います。
今回、東芝が発表したのは、斜め配線の自動配線ができるということです。
ランダムロジックは、ゲート規模が大きいため、手動配線は無理です。
257 : 名無しさん@1周年 : 01/11/18 10:03 ID:ezTYsqCV
0.18μとか0.13μとかのウエハーって1枚いくらすんの?
258 : 名無しさん@1周年 : 01/11/18 13:06 ID:Y1ooZrVm
ウェーハの値段は、0.18とか0.13とかでは変わらず、
直径200mmとか300mmとかのウェーハサイズで決まるはずです。
(加工後だったら、CPUが作りこまれたウェーハと、DRAMが
作りこまれたウェーハだったら、めちゃ値段が違うでしょう。)

ウェーハにも種類があるから、一概には値段決められないと
思いますが...。
259 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/20 18:23 ID:QuLTlEz8
>>257
加工後の原価って意味か?(切り刻む直前)
それともチップになった時の売価って意味か?
260 : 名無しさん@1周年 : 01/11/24 18:31 ID:0h8cQEco
>>257
いま日経CNBCで、アナリストがなんかしゃべってたんだけど、
曰く、200mm ウエハで8000円くらいだって。
また、今年の春頃にインターネットで出てた値として、
200mm ウエハが$72、300mm ウエハが$500ちょっと、
だってさ。
ちなみに、三益半導体工業を注目株として取り上げてたんだけど、
知らない会社だ。
261 : 名無しさん@1周年 : 01/11/24 18:52 ID:CmYTxLgm
くだらない質問なんですが、
ウェハーの写真見ると、いつもちょっとカットしてる部分があるけど、なんでなの?
もったいない気がするのですが…
262 : マテリアル : 01/11/24 19:00 ID:qZtWK8iY
>261
オリフラかノッチのことでしょう。
位置決めに利用します。
263 : 名無しさん@1周年 : 01/11/24 19:10 ID:CmYTxLgm
>>262さん
あぁ、そういう事ですか。
前からの疑問が解けてすっきりしました。
264 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/24 19:31 ID:7FWHKGqM
>260
しねつ半導体の子会社
265 : 名無しさん@1周年 : 01/11/24 19:54 ID:MO87O0e5
三益ったらシリコンウェハを作っている会社だよ。
他にウェハの再生とか。
まぁ三菱とか東セラ、コマツがウェハ作っているから小さな会社に見えるんでしょう。
266 : 名無しさん@1周年 : 01/11/25 15:50 ID:6Q4p/VNN
今日ウェハを割ってしまいました。
鬱だ氏脳。
267 : 名無しさん@1周年[0] : 01/11/25 18:08 ID:XcZxOW9H
VDECでの試作1チップ130万くらいだって
失敗するなよってボスにおどされたよ。。。
268 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/11/25 19:07 ID:NrEHA1sT
>>267
失敗するなよ。
269 : 名無しさん@1周年 : 01/11/25 23:10 ID:4SgLk8cT
>266
漏れもこの前プロービングのときに落としました。
1mぐらい。でも割れなかった。結構丈夫だなぁと
思いましたが、落とした瞬間はさすがに心臓が凍
りつきました (w
270 : 名無しさん@1周年 : 01/11/26 00:15 ID:Zg8tEIBy
>267
試作チップは高いよぉ。
うちでも50~100万ぐらい。
今後の価値を考えると億超えるかも・・・。
271 : 名無しさん@1周年 : 01/11/27 10:44 ID:r+3Z4t0H
SiCのメリットって何ぞや。
272 : BPSGど素人 : 01/11/27 23:42 ID:2JqJd1+T
基本的なことなのかもしれないけど、BPSGってさー、
リフローした時に、偏析して異物状の突起ができるみた
いなんだけど、これって、異常だよね。
何が原因??
273 : 名無しさん@1周年 : 01/11/28 08:59 ID:4fsFimps
>>272
キノコモード
274 : 名無しさん@1周年 : 01/11/28 20:10 ID:EtT0d1Uh
ゲート長15nmのTrをインテルが開発したそうだ。
今度の学会で発表とか。トランジスタ単体で2.6THz動作するとか・・
をネットの日経でみた。
最近はゲート長、コンマいくつとは言わないんだなーー
275 : 名無しさん@1周年 : 01/11/29 00:47 ID:bQ0pQvh5
いや、そのうちコンマ5ナノと言うさ。もうすぐだよ。
276 : とおりがかり : 01/11/29 00:51 ID:u5ounGao
BPSGって湿気に弱い?
277 : 3.14159265[sage] : 01/11/29 11:47 ID:ZW0Jjae3
>>274
ソースきぼーん
278 : 274 : 01/11/29 19:32 ID:L91fRrC1
>>277
ほれ。
http://ne.nikkeibp.co.jp/DSP/2001/11/1000009346.html
日経エレクトロニクス
279 : 名無しさん@1周年 : 01/11/30 22:51 ID:NSyhxDcH
>>271
SiNに比べてK値が低いこと。
280 : 名無しさん@1周年 : 01/12/01 11:45 ID:N+YJ8NVJ
semicon Japan での見どころって、なに?
281 : 名無しさん@1周年 : 01/12/01 18:14 ID:Q6iuSHWo
ダイヤモンドステンシル
282 : 名無しさん@1周年 : 01/12/02 23:50 ID:xsyh8hVg
さっきの地震で縦型LP炉のチューブ割れていたりして。
そーいえば地震起きたってマシンって勝手にとまらねーよな。
せめて搬送系だけでも自動停止してほしいもんだ。
283 : 名無しさん@1周年 : 01/12/02 23:55 ID:iDH82WwB
うちのは止るよ。
危ないやつは(ガス系)。
CMPなんかはがんがん動いてるけど・・・。
284 : 280 : 01/12/03 18:41 ID:wBJ3x/uO
>>281
いまさらX線露光?それともEBリソ?

見所ないんじゃ、行くのやめとこっかな。
285 : 名無しさん@1周年 : 01/12/03 21:48 ID:ER4vnuxH
>>266
もれはSOIウェハおとしてわったぞ
286 : 名無しさん@1周年 : 01/12/03 23:30 ID:f0OC9Hid
俺のウェハー割った奴でてこい!ごらぁ!!!
287 : 名無しさん@1周年 : 01/12/04 08:27 ID:mt3ZhdOr
文句あんなら自分で全部処理しろ。
いちいち作業依頼するんじゃなーい!
めんどくせーんだよっ。
288 : 名無しさん@1周年 : 01/12/05 15:53 ID:ElA7jRX5
トーカロ㈱ってどんな会社?
289 : 変人さん[age] : 01/12/05 17:22 ID:0hTeX3Jj
2ちゃんねるから本が出ます
http://ura.gozans.com/yoya-ku/reserv.html
290 : 名無しさん@1周年 : 01/12/05 23:42 ID:nWTL6VtL
>>286
すみません割りました。
宅配便(!)でウエハ送ったら粉々。。
1ロットすべてパァです。 泣きました。
291 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/12/06 00:03 ID:SUNf1wxG
>>290
もしかして佐川急便ですか?(w
292 : 名無しさん@1周年 : 01/12/06 00:04 ID:6eDqD2jt
米AMD,Inc.は,マイクロプロセサなどの高速LSIに向けたゲート長が
15nmのCMOSトランジスタを開発した。キャリアがソースからドレインに
抜ける時間(ゲート遅延時間)はnMOSトランジスタでわずか0.29ps。
トランジスタ単体の動作速度に換算すると3.4THzに相当する。
293 : シオラー[tahara@cms.kyutech.ac.jp] : 01/12/06 17:04 ID:caTNlLAk
たいへん恐縮です。私は、windows版のwin spice3 というspice3
を使ってcmosにもうひとつゲートをつけて
それを制御ゲートとしてβを変調する素子のデバイスモデルを考えています。
そこで、私はバルク(基板)とソースを短絡させて、mosのノードを表記する
ところでバルクのノードを書くところをもうひとつのゲートの制御
ゲートのノードとして表現し,バルクをソースと同じノードであるということ
を表現したいのですが、いろいろとspiceの本を読んでみたんですがよくわかりませんでした。
それで、申し訳ありませんが、お暇で分かるのでありましたらメールを返信して頂ければたいへん
ありがたく思います。 m1 1 2 0 0 mn l=10u w=20u
↑これ
294 : 名無しさん@1周年 : 01/12/06 21:34 ID:vGVW8lCK
ところで、SEMICON Japan開催中ですが、今年はどんな感じでしょうか?
295 : 名無しさん@1周年 : 01/12/07 00:04 ID:dkZwaQrB
>>293
SPICE以前にキミの日本語が理解できん。
296 : 名無しさん@1周年 : 01/12/07 00:33 ID:24LmNVY6
>>293
最初始めましたのあなたは、その質問に関した疑問に
http://www.oki.com/semi/datadocs/doc-jpn/kgf1531.pdf
解決の多くに渡って致しましたことで
297 : 名無しさん@1周年 : 01/12/13 09:56 ID:e5yzgYOk
290さんへ
私もウエハー割りました。
某薬品で、塗布し 炉内で強制乾燥させなくてはいけない
ウエハーをおかげでロツトはすべてパー
最低300万パー!始末書の雨嵐・・・

なので気にしないでもいいのでは?
298 : 名無しさん@1周年 : 01/12/17 00:17 ID:FpRrlh5j
某サイトで見たんですがパワー半導体って何ですか?
299 : 名無しさん@1周年 : 01/12/17 02:33 ID:Y5gHGYby
埋め込みチャネルって何ですか?
300 : 名無しさん@1周年[sage] : 01/12/17 02:51 ID:kCGyExuL
某サイトって何ですか?
301 : 半導体屋 : 01/12/22 20:14 ID:hRGCHGqj
 半導体の設計の教科書は、ほとんど米国のものが多い。
どうして日本には設計の教科書がないのか。設計を勉強しようと
すると英語で勉強しないといけない。英語が読めない人は
勉強ができません。これではなかなか大変です。
しかし、米国の教科書は良いテキストが多く役に立ちます。
302 : 名無しさん@1周年 : 01/12/22 21:51 ID:GMKd8+Rp
>>298
IGBTとかIPMとかで再検索してください。
303 : 名無しさん@1周年 : 01/12/28 22:13 ID:magwhqLc
>>301
某メーカーではTOEIC600点未満の社員は
賞与10万円のカットおよび昇進の見こみはありません。
304 : 名無しさん@1周年 : 01/12/29 03:21 ID:3lKCacJC
まじかよ!外資?
305 : 名無しさん@1周年 : 01/12/29 12:17 ID:0sRy10xJ
>>301
外資じゃないけど、うちも600点以下だと昇進できません
ボーナスカットはないけど
306 : 名無しさん@1周年 : 01/12/29 15:40 ID:6+i7S/kS
うちもそうしてほしいよ
短大卒のプロセス屋がえらそうにしてちゃアカンのだよ
307 : 名無しさん@1周年 : 01/12/30 02:29 ID:qgMssM0j
308 : マテリアル : 02/01/06 01:44 ID:eMtBaQsF
>>305
マジ?
309 : 名無しさん@1周年 : 02/01/07 10:51 ID:ZbLAZyCI
310 : 名無しさん@1周年 : 02/01/10 23:19 ID:TmpErE7y
8インチウエハで1150℃のドライブしたいんだけど、
炉入れ温度→プロセス温度までの昇降温レートステップ
とどんなん?
おしえてくんなまし。
311 : 名無しさん@1周年 : 02/01/11 00:48 ID:Uvt+1JhZ
それって、教えてイイのか!?
社外秘じゃないの?
312 : AVR[sage] : 02/01/11 00:50 ID:lXnbJOpz
わははは。
313 : 名無しさん@1周年 : 02/01/11 01:20 ID:Yvhtycl6
陰プラって、危険な装置ってきいてるけど
どの程度危険何やろ?
実は、俺は担当部署に配属されたものの、なんの研修も教育もなく
いきなり、今日ソースパーツなる怪しい部品の洗浄をやらされた
なーんか、ぷーんってにおいがやばそうだったけど
普通、なんか防具とかつけるんだろか?
当然うちの部署では忙しいので、そんなの取りに行ってる暇なく
普通にスコッチさんで磨いたけどね、、、、
314 : 名無しさん@1周年 : 02/01/11 04:35 ID:9EKVcGUM
X線ばりばり。
それってヒ素で汚染されているやつじゃねーか?
それかリン付きとか。
315 : 名無しさん@1周年 : 02/01/12 02:07 ID:BQ8M/p+x
陰プラ担当させられて、ソース交換とかチャンバークリーニングとかやってます。
安全口臭も教育もなくいきなりやらされているで、砒素とかの有毒性を知らずに
チャンバー触ってしまった、がんになる前にやめようと思うけどどうかなあ。
被害者いたら、レス頼む!
316 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/01/12 05:39 ID:5KiCcXUi
層間絶縁膜についてお聞きしたいのですが、SiO2膜よりも少しC(カーボン)
を入れたSiO:C膜の方が誘電率が低くなるのはなぜでしょうか?
317 :   : 02/01/12 12:02 ID:pw0+i1V6
良い、プロセスの入門書って何ですか?
318 : 名無しさん@1周年 : 02/01/12 16:42 ID:zlz8JWZs
カーボンは電気を通すからだろ。
319 : &gt;&gt;100 : 02/01/13 01:01 ID:5t3gZy9y
SiNだと>45にありましたように絶縁膜RIEのストッパ、
金属窒化膜(TiN、TaNとか)だと配線のバリアメタルの
イメージですね.私の場合.
320 : &gt;&gt;100 : 02/01/13 01:24 ID:5t3gZy9y

すげー亀レスでした…欝だ死脳
321 : 316 : 02/01/13 05:31 ID:8RBqXVf1
>>318
もうちょっと詳細キボンヌ、お願いします。
イマイチ解りませぬ。
322 : 名無しさん@1周年 : 02/01/13 13:02 ID:41q9lxI0
院プラ作業者は、男の子が生まれなくなるよ。
323 : 名無しさん@1周年 : 02/01/14 00:12 ID:TTr2nm9M
陰プラの作業者だけど、危険手当つかないかなあ?
324 : 名無しさん@1周年 : 02/01/14 10:49 ID:MIGbAonC
>>316
318とは別人ですが
誘電体(SiO2)の多結晶中に導体(C)の多結晶があると
双極子モーメントが小さくなる ということではないですか。
そんな単純な話ではないのかな。
ちなみに C は C のままなのでしょうか。SiCになったりしないのでしょうか。
SiCになったとしても分極が小さくなることに変わり無いですが。
325 : すみません : 02/01/19 14:22 ID:1tEIhQxf
院プラって何ですか?
326 : 名無しさん@1周年 : 02/01/19 15:36 ID:iYTqS/C0
淫プラ
327 : すみません : 02/01/20 15:43 ID:Uq8s+o78
淫プラってなんですか?
328 : 名無しさん@1周年 : 02/01/20 17:52 ID:AKOWOREA
イオン陰プラ
329 : 名無しさん@1周年 : 02/01/20 19:54 ID:a+Td1IQd
いんぷらって単にまっすぐ打ち込んでるだけだと
思っていたけれども、最近は角度付けて打ち込ん
でるんだって。どうやってウェハ全面に精度よく
打ち込んでいるんだろ??
330 : 半導体初心者 : 02/01/20 20:08 ID:+u8MlX74
実効質量を教えてください!!何でもいいです。
分かりやすい参考書でもいいし、ホームページでもいいです。
331 : 名無しさん@1周年 : 02/01/20 20:35 ID:Wt1vZJYT
>>330
電気屋さんだと実効質量って言うのか?
Googleか何かで有効質量で検索してみ。
332 : 半導体初心者 : 02/01/21 01:06 ID:8GaxVfUj
>>331
どこ探しても納得できるところがないんですぅーー。
333 : 名無しさん@1周年 : 02/01/21 01:36 ID:/CcMD2IO
今日からオシエテ学生くんへのレスは有料になったんだ。キミの場合4文字
だから4000円プラス税を先に払い込んでくれや。よろしくな。
334 : 名無しさん@1周年 : 02/01/21 04:02 ID:ke+QX95m
>>333
口座番号晒せ
335 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/01/21 08:33 ID:DRnvpV2X
>>329
最近どころか、かなり前からだよ…。
336 : 名無しさん@1周年 : 02/01/23 23:46 ID:O6q08ruA
洗浄装置はどこのがよい?
337 : 名無しさん@1周年 : 02/01/25 23:12 ID:X6Bi+4X8
ECRとかマイクロ波使う装置って、マイクロ波の漏洩対策してます?
見えないだけに危険な気がするんですが。
338 : 名も無きマテリアルさん[sage] : 02/01/26 01:09 ID:yBKO/ofY
>336
汚れが落ちればどこでも一緒。
339 : sage : 02/01/27 00:04 ID:CMby9Tp6
>324
CはCH3の形で入っていること多し。
双極子モーメントも効いてるとおもうけど、Film densityの方が
影響大きそうな気がします。
340 : 名無しさん@1周年 : 02/01/27 11:36 ID:0hVQNrP3
>335
ポケットインプラだっけ? ゲートエッジの真下付近を濃くするやつ。
でも、ゲート間隔は物によってまちまちだし、正確にできるの?
(ちなみに、漏れは設計屋なので...ちょっとした疑問です)
341 : 名無しさん@1周年 : 02/01/27 21:09 ID:/RxXfOch
>340
かなり前からと言えばチャネリング防止じゃない?
342 : 名無しさん@1周年 : 02/01/28 17:28 ID:c2HiP9Ve
一様に傾斜角与えてインプラするのってそんなに難しいものなの?
僕も CAD 屋なので今一つその難しさが理解出来ないんですが。
でも通常4度くらい基板傾けて注入するんじゃないんでしたっけ?
343 : 名無しさん@1周年 : 02/01/31 12:55 ID:/8Kg8qxB
>>331
電気屋でも有効質量だ
344 : 名無しさん@1周年 : 02/02/02 13:06 ID:Gzegp2Hc
インプラ(特に大電流)って、巨大なディスクを凄い勢いで
回転させて、注入してるじゃん?
このときかなり発塵してると思うんだけれど、
それがウェーハ上に付着しても平気なのかな?

見るからにゴミでまくりなんで、他人事ながら心配(w
345 : 名無しさん@1周年 : 02/02/05 22:09 ID:+5RAC9bU
>>337
マイクロ波漏洩試験器というのがあって、時々検査してるから大丈夫
しかし、「手で触ってみて熱さで漏れているかどうかは分かる」という
ベテランがいた。  こいつには恐れ入ってしまったな。
346 : 名無しさん@1周年 : 02/02/06 01:27 ID:s6STXBRS
携帯電話なんかに使う 低温ポリシリコンTFTにも、イオン注入が
あるけど、でかいよ。 40~70cmくらいのガラス基板を使うん
だからムリ無いけど。 あと、昔は、質量分離無しがほとんどだった
けど、最近は分離有りも増えてきた(けど、もっとでかい装置になる!)
347 : age[age] : 02/02/21 00:46 ID:5t4PGgsV
age
348 : 名無しさん@1周年 : 02/03/01 04:10 ID:j+PR1Gxj
これってなにを見るの?
ニュース速報+より
http://news.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1014806806/
 カメラレンズ製造の栃木ニコン(大田原市実取、岩崎純社長)は、未開拓電磁波と
呼ばれ、各分野への応用が期待されている「テラヘルツ光」を利用して、半導体を
検査する技術を開発した。
349 : 名無しさん@1周年 : 02/03/07 01:17 ID:VX+K+4dL
チッ化膜はパッシベーションと言う、SiにNを含有させるとバリア性が向上する。
今、トレンドのCu配線では、Cuの拡散防止のためにTaSiN、などNを含有させてバリア性を確保
している。層間絶縁膜はどうだ?気になるか?
350 : 実際のところ : 02/03/07 23:56 ID:iL8ZbedM
>>349
TaSiNは、まだ先の話ではないでしょうか?
現状レベルでは、TaNだと思いますよ。
TaSiNは、その次の候補の1つではないでしょうか?
351 : 名無しさん@1周年 : 02/04/27 08:35 ID:zwG34cOZ
NchMOSの場合、ポリSiゲートはN型、Si基板はP型
ですが、フェルミレベルは同じになるので、Si基板と
酸化膜界面ではSi基板側のバンドが下側に曲がっているのですよね。
ところでバンドが曲がることによりSi基板の界面は
N型化してしまうことになりませんか?
つまりデプレッションMOSになってしまいませんか?

でも現実にはエンハンスメントMOSのままなのですが、
このあたりの理屈はどうなっているのでしょうか?
352 : ところで : 02/05/01 16:48 ID:ikHA1MOU
 そのとおりデプレッションMOSになります。そこでインプラでゲート直下のド-ズ量を
調整するか。ゲート酸化膜を薄くすることによってエンハンスメントMOSを作っている。
PMOSではデプレッションMOSには成りにくいので、この問題で悩むことはあまりない
です。
353 : 現役学生 : 02/05/04 19:07 ID:g4U+8zbQ
はじめまして、レポート作成に明け暮れる学生です

n型、およびp型に含まれている不純物の元素名を
知る方法を教えてください。

X線をあてて、格子定数を計算すればわかるはずだとレポートに書いたら
差し戻しされました。
今考えてるのは、電磁場を当てて光電効果による
電子の飛び出しがどの振動数から行われるかを計測すればいいと思っています

お願いします
354 : 名無しさん@1周年 : 02/05/04 20:19 ID:Ix2A4P4m
pnp npn結合か・・・・懐かしい
355 : 名無しさん@1周年 : 02/05/04 20:48 ID:UlhJ3bd5
>>353
アルゴンレーザを照射してフォトルミネッセンスを取る。
ロックインアンプを使ってスペクトルを分析すると不純物が分かるよ。
356 : 現役学生 : 02/05/04 23:39 ID:g4U+8zbQ
>>355
ありがとうございます。

ちんぷんかんぷんな単語が多いいですけど
頑張って調べます。
357 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/05/04 23:58 ID:u1XcWU1z
ttp://www.hamq.jp/i.cfm?i=DEHIO
面白いページハケーン。
携帯のページだからパソコンからは見れないよ
358 : 名無しさん@1周年 : 02/05/05 20:09 ID:ztp5ly38
age
359 : 味素汰陰不乱吐 : 02/05/21 00:47 ID:0m2FRewf
>344
打ち込むのは±7度か角度によっては10度まで傾ける注入がある
ゴミ?大丈夫だろ?ちゃんとモノできてるし(藁
>315
燐で鼻血出すなよ!砒素で内蔵おかしくするなよ・漏れはもう手遅れだろうケド(藁
X線バリ浴びてるはずだけど男の子だったぞ・仕事さぼってるのばれちった(藁

角度付き注入(±有り)     0度注入
\ |
\<=====<===<=====<======= |<====<====<====<====
\ |
さらにウェハーを回してステップ注入もあるぞ!

>353
それくらい町中の本屋に売っている「やさしい~」シリーズにも書いてあるぞ!
ンな基本的なこと聞くなヴォケ!オシエテ学生くんへのレスは有料だ!
>知る方法を教えてください。
偶愚留行け!
360 : 名無しさん@1周年 : 02/05/27 10:04 ID:YZ2+D5lC
教えて君です 教えて欲しいことがあってきました。
プロセス技術を勉強するにはってことです
361 : Nanashi_et_al.[age] : 02/05/29 22:58 ID:j9Dk/5mU
>352
>ゲート酸化膜を薄くすることによってエンハンスメントMOSを作っている。
ゲート酸化膜薄くするとVth下がるんじゃなかったかな。352さんがまたここ
に寄る可能性は小さいので、だれでもいいから詳しい人教えて。
362 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/05/29 23:24 ID:YqAzGwG+
大阪テレビ?見てますか?
半導体のことやってる
363 : 名無しさん@1周年 : 02/05/30 00:02 ID:pQy1E2mG
共鳴トンネルダイオード
364 : 名無しさん@1周年 : 02/05/31 01:46 ID:rMZve09J
>>359
つーか、DISKの回転速いから>>344が考えてる五味というのは
飛ばされちゃってつかないよ。
印プラの五味はファラデー系からの放電とかからが大半だと思う。
365 : 名無しさん@1周年 : 02/05/31 07:56 ID:HcyFtbTU
>>361
そうだよね。ゲート酸化膜厚いほど、しきい値電圧は上がるはず
366 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/05/31 19:29 ID:+0r2lihB
>>363
RTDって実際に使ってるの?ってか作ってるの?
いろいろ論文読むけど、実用化の期待があるのかどうか聴きたいよ。
367 : 名無しさん@1周年 : 02/05/31 19:30 ID:AqKfdila
基本的にしきい値を調整するためにゲート酸化膜厚はいじりません。
368 : 名無しさん@1周年 : 02/06/02 13:25 ID:vz7k2p22
>>361
 産業図書から出版されている S.M.ジィ-の半導体デバイスの220ページに説明あり。

>>367
ある半導体メーカーでは、しきい値をゲート酸化膜厚を管理して、管理値に入っていない
場合、剥離後、再生するそうです。確かに調整はしません。
369 : 名無しさん@1周年 : 02/06/06 20:09 ID:E8EpKlOs
age
370 : ウェーハ : 02/06/06 22:59 ID:hyAZtenn
200mm、300mmのベア、エピの平均価格って
それぞれどんなもんでしょうか?
SOIなんてやったら殆どのメーカーは食って行けないと思うのですが、
次世代のデザインルールは0.10を切りますね。
ウェーハの平坦度がデバイスの歩留まりに効くのか良く解らないのに、
平坦度はデザインルールと同値です。なぜなの?
371 : 名無しさん@1周年 : 02/06/06 23:07 ID:AucAv0+m
>>366
mobile HEMT HFET 富士通 みかか
372 : 名無しさん@1周年 : 02/07/09 07:35 ID:rO4knvTA
このたび半導体業界で内定でたんで、勉強しようと思うんですけど
当方、化学(有機&無機)専攻で希望職種としては生産技術で出しました。
開発とかは無理と思って出してしまったんですが(^^;

化学系の人が配置されるものとしてどういうものが考えられますか?
勉強しようにも、どういう部署で化学系のものが配置されるのかまた~くわからないもので・・・
373 : 構造不況[age] : 02/07/10 11:03 ID:j5rVoUih
>>372
化学ならプロセスかデバイス屋 まれに生産管理。
必要な知識は、韓国語もしくは中国語(北京か広東)
それ以外には無い。


374 : 名無しさん@1周年 : 02/07/10 20:49 ID:mwRaVXyH
>>373
あんまりホントのこといって夢壊すなよ・・・・

>>372
外国語勉強しとけ。申し訳ないが、プロセスなんて
たいした仕事じゃあない。オペレータに毛の生えたような
もんだ。
375 :  [sage] : 02/07/29 18:47 ID:3sm8nB/C
http://ex.2ch.net/test/read.cgi/korea/1027098364/l50
参考にしてくれ!
韓国系だが。
376 : 名無しさん@1周年 : 02/08/23 16:10 ID:HLRgqTjn
MOSFETはゲート長が15nmになっても動作することが研究レベルで
報告されてるみたいなんですけど、そこで疑問がわいたのですが、皆さんは
どのようにお考えですか?
疑問)集積回路として15nm-MOSFETを実用化するために今後課題となると
想定される技術課題項目を、材料・プロセス・デバイス・回路・アーキテクチャ・
アルゴリズム・その他をあらゆる工学分野の中から思いつく限り列挙すると
どのような課題が考えられるのか。
377 : 名無しさん@1周年 : 02/08/23 19:59 ID:zS5V0gGj
>>376
間違えれば会社が即あぼーんするレベルの金を、
いかに騙し&洗脳してスポンサーに出させるかだね。
それだけだよ。
378 : 名無しさん@1周年 : 02/08/23 21:33 ID:RpMeFqsI
>>376
379 : 名無しさん@1周年 : 02/08/24 08:27 ID:PtBHAQNS
>>376
377、378がいうようにお金がすべて。それと、そのMOSFETを使って湯水のように開発に使ったお金を
回収できる商品があるかどうか ? CPU 一個100万円で買うやつは消費者にはおらんだろう。
380 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/08/24 17:17 ID:Wz7aEyso
いまのままではもうだめぽ
381 : 名無しさん@1周年 : 02/08/25 13:37 ID:kzvyyd1/
>>370
300mmのエピタキシャルウエハーなんて売っていません。高くなりすぎます。ベアウエハーはこなれてきて、
一枚、5万円前後です。デバイスを作るようなウエハーだともうちょっとかな。平坦度はウエハーサイズも
さることながら、使用するリソグラフィーの技術により厳しくなる。ArFなんかだと焦点深度がかなり小さい
ので、平坦度も良くしないとチャンとパターンを作ることが出来なくなる。
382 : 名無さん@1周年 : 02/08/25 17:31 ID:rVmKtNTs
>>381
 エピウエハを使わないと、クオータミクロン以下のCMOSは作れませんが
皆さん、自社でエピ成長をしているのでしょうか?

>>デバイスを作るようなウエハーだと
 このウエハには、もうエピを積んでいると思われます。
383 : 名無しさん@1周年 : 02/08/25 19:50 ID:bgayiA57
>>382
381です。エピタキシャルウエハーを使う理由を知っていますか ? その答えがわかれば、
今のプロセス技術でエピタキシャルウエハーを使わなくても90nmのデバイスができます。
宿題にしておきますので、自分で調べてみてください。(相当デバイスとプロセスの知識
がないと難しいです。)
384 : 名無さん@1周年 : 02/08/28 20:18 ID:1JHGJKQI
>>383
ウエハの平坦度を上げるのエピを使っていると聞きましたが平坦度0.1μmでも、
90nmのデバイスができるということはCMPを使って平坦にしているので段差が
0.1μmないので、出来てしまうと言うことですね。
385 : 名無しさん@1周年 : 02/08/29 02:00 ID:OVqtCjJ1
>>381
ArFは焦点深度自体はKrFとそんなに変わらないよ。
ただ、細かいパターンを焼くためには、NAを上げる必要があるため、
焦点深度が小さくなってくる。
この辺は、PhaseShiftMaskやレジストから改善するしかない。
90nmのプロセスでもリソでは0.4umくらいの焦点深度は確保してるはず。
最近は、ポリSiの表面荒れは研磨や、ハードマスク、
BARCなどを使う事でリソに影響が無い程度にはできるよ。
386 : 名無しさん@1周年 : 02/08/29 19:19 ID:CoiHMhzS
>>384
381です。ウエハーの平坦度を上げるためはエピは使いません。
>>385
90nmのデバイスを作るためにはNAをあげなければなりませんのであなたもおっ
しゃっているように焦点深度はやはりKrFに比較してArFは小さくなります。
ではなぜエピウエハーを使うかですが、MOSデバイスということで限っていう
と、ラッチアップ、アルファ線によるソフトエラー(DRAMだけですが)結晶性
の改善による接合リークとか絶縁膜のリークの改善のためです。これらの改善
はエピウエハー以外でもでき、しかもそのコストがエピウエハーのコストより
安くできるため、エピウエハーは必要なくなったというのが現実です。確かに
1.0umの時代にはエピウエハーを使っていましたが、今はMOSデバイスに関して
はほとんど使っていません。 まだ、バイポーラとかパワーデバイスでももち
ろん使っていますがね。

387 : 名無しさん@1周年 : 02/08/30 01:00 ID:HfOnoays
>>386
KrFもArFも現状のNAは0.7くらいで同等だと思われるのですが。
今後、65nmとかの世代を狙うには、ArFもNA0.8以上を目指すしかないとは思いますが。
388 : 名無しさん@1周年 : 02/08/30 21:13 ID:Ci2jpYXS
>>387
そうですね。65nmに行くにはNAをもっとあげないとね。まあ、それ以外にも
レジストプロセスもしっかりしないといけませんが。それにそろそろ酸化膜も
限界ですしね。配線の層間絶縁膜のkももっと下げなきゃいけないし。やること
はいっぱいあります。ITRS通りいくのでしょうか ? ムーアさんに聞きたい
ですね。
389 : 名無しさん@1周年 : 02/09/03 02:19 ID:CcvY654a
究極のLOW-K層間膜は空気。 エアギャップって実用化する?
390 : 名無しさん@1周年 : 02/09/03 02:56 ID:2p2jeUSL
>>389
配線、パッケージの方法次第ではないでしょうか?
いい方法があればやるだろうけど、無理だろうな。。
実際、そこまで低いk値が必要かという議論もあるが。

>>388
酸化膜は、やっぱり、今後はHigh-kでしょう。
しかし、新しい材料が次々と入ってくる
90nm以降はコストも時間もかかって大変ですね。
レジストも薄膜化をすすめて、
新しい材料との組み合わせも考えねばならないし。。

ITRSは未だにIntel主導でロードマップが決まっています。
実際にはITRSよりも早く技術が導入されているわけだけど、
ITRSでこればかりは無理だろうと言う部分って何かあります?
391 : 半導体初心者 : 02/09/30 07:57 ID:fZQCCr2P
ウエハーの文献にscribe line structure というのが出てきたのですが、これは何のことか教えてください
392 : 名無しさん@1周年 : 02/09/30 10:13 ID:ml5Uyrcu
>>391
チップ間の隙間のことだと思うけど
(隣のチップとの隙間)

出来れば、文献の名前とページ数書いて。
393 : 名無しさん : 02/10/06 16:29 ID:Adlaza1z
シリコンの格子欠陥について勉強したいと思っています。適当な教科書を紹介していただけないでしょうか?

私はプロセス技術者ですが、
欠陥についてはあまり詳しくありません。
よろしくお願い致します。
394 : 半導体初心者 : 02/10/07 18:14 ID:PNXPy7mF
卒研で聞かれてわかんなかったんですが
スパッタリング法でArをよく使うのはなぜですか?
誰か教えてください!!
395 : 名無しさん@1周年 : 02/10/07 18:47 ID:bsZdqRRv
希ガスは化合物を作りにくいから。
例えばAlをスパッタするとき、酸素や窒素を使うと
Al2O3とかが出来る。そういうのがいやな時は希ガス系
を使う。
またArは希ガスの中では安くコストパフォーマンスがいい。
HeやKrでスパッタしてる論文も見かけるがお遊びみたいな
もの。採算が取るのが大変だろう。
396 : 名無しさん@1周年 : 02/10/10 00:39 ID:cRmC9djJ
グレーチングの下にノートPC落としたヤシいるか?
397 : 名無しさん@1周年 : 02/10/10 03:53 ID:oOB5s/Mi
>>393
「格子欠陥」って本がある。
出版社忘れた。難しかったけど、ためにはなった。
398 : 名無しさん@1周年 : 02/10/10 19:22 ID:18/DLCjW
半導体の会社って面白いの?
1センチ平方に200万個の素子がつまってるんだっけ。まじどうやって設計してんのさ。
考えただけで発狂しそうになるね。設計図すげーでかくない?
399 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/10/10 19:31 ID:n2Nosn+z
>>398
一人10万個くらいずつ分担して皆で素子の配置図を専用紙に書き、最後に広いホールで
全部を並べてチェックするんです。皆プロだから大丈夫ですよ。
400 : LVS : 02/10/10 21:33 ID:41SO7q6j
>>399
401 : LVS : 02/10/10 21:34 ID:41SO7q6j
>>399
ありゃ大変だよ。
402 : 名無しさん@1周年 : 02/10/10 22:16 ID:9eTssVVp
一人で10万個もorとかandとかやってんの?
マジカヨ
403 : あぼーん[あぼーん] : あぼーん
あぼーん
404 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/10/11 00:42 ID:EhXISj/A
>>402
10万ゲートなんか小さい部類の回路ですよ。皆平気で作ってます。
405 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/10/12 02:52 ID:Okx1SBm3
>>399
楽しそう
406 : 名無しさん@1周年 : 02/10/15 01:01 ID:ASL/Ua52
CMPの終点検出ってどうやってるの?
CMPプロセスエンジニアの方、教えて下さい!
407 : 名無しさん@1周年 : 02/10/15 01:17 ID:9YXEIMGw
デジタルはプログラミングと大差ないよねー。
高周波アナログとか分かってる人いないの?sパラメータとか。
HBTとか。RTDとか。HEMTとか。
408 : 名無しさん@1周年 : 02/10/15 01:43 ID:VB4VIlIi
改良型LRMはどうですか?
409 : 名無しさん@1周年 : 02/10/15 02:05 ID:rjhk2LOV
ハードとソフトどっちがおもしろい?
410 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/10/15 11:23 ID:2sTwiZzs
>>408
シーケンスに若干問題アリ。
411 : 名無しさん@1周年 : 02/12/04 20:20 ID:a3O9XiIW
SEMICON 逝ったヤシ、今年の見所はなんですか?
412 : 名無しさん@1周年 : 02/12/05 01:09 ID:8RsuEgQK
http://curry.2ch.net/train/kako/1024/10246/1024677387.html
413 : 名無しさん@1周年 : 02/12/05 13:49 ID:chtdV4zh
セミコンですが、OMRONのブースの女がコスチウーム最高ざんす
414 : 名無しさん@1周年 : 02/12/05 20:11 ID:zNGzvpnu
オムロン必死だな
http://biztech.nikkeibp.co.jp/wcs/leaf/CID/onair/biztech/scrap/219687
415 : 名無さん@1周年 : 02/12/05 22:02 ID:UP24BSMF
 CMOSエリアセンサーのフォトダイオードの暗電流を減らすにはエピウエハを
使えばよいのでしょうか。知っている方がいれば、ご教授願います。
416 : 名無しさん@1周年 : 02/12/16 14:40 ID:0ndRmRGj
中古の製造装置ってどうですか、検索してもあまり出てこないので。
使ってる装置とか、売ってる会社とかおしえてくださいませんか
417 : お願いします : 02/12/16 23:47 ID:/0K6lbWI
自動ドアの動作原理についてわかることがあったら教えてもらえませんか?
サイト、文献でもありがたいです。
418 : 基板屋 : 02/12/16 23:57 ID:rJKh7CZ+
以前、プリント基板を売っていましたが、転職して(電子アウトソーシング系)
)半導体も売らなければならなくなりました。(主に受託LSI開発です。)
はっきり言ってちんぷんかんぷん"です。
基板と似ているようですが、やっぱり内容的には違うし難しそうですね。
ガイシュツでしたらスマソですが、どのようにして半導体を覚えれば
よいでしょう?漏れは営業マソなんで、売れればいいのですが、
このままでは、客先に提案なんて出来ないし、売れそうに無いし・・・
それに金額的に基板を売る値段の1000倍くらいのものもあるしね。
だから、問題あったときにわからなかったんです!なんてのも通用
しないだろうしね。
 誰か、半導体を知るためのよいアドバイスをお願い致します。
419 : 名無しさん@1周年 : 02/12/17 02:42 ID:xnye5PvD
半導体と聞くとInPとかGaNとか物性のことを思い浮かべるな。
420 : 名無しさん@1周年 : 02/12/19 22:09 ID:fmEHKhr4
日経マイクロデバイスでも読めば?
421 : LSI@ペレット : 02/12/20 00:29 ID:kx5urWrS
噂に聞く新型BGAの生産情報キボーン!
422 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/12/20 00:33 ID:kx5urWrS
・・・VFLGA?
423 : 名無しさん@1周年[sage] : 02/12/20 01:57 ID:UBlanMOy
>>416
てかちゃんと検索してるのか?
例:used+Endura+AMATでぐぐれ
424 : 名無しさん@1周年 : 02/12/22 22:32 ID:WXgsmJzL
SEMIのF47って、みんな対応してますか?
50%サグで1秒なんて、とてもウチの装置じゃもたないんですけど、、、。
425 : 名無しさん@1周年 : 02/12/23 03:11 ID:Gu7Ldw5b
唾液にもHIVウイルスはあるんだよ!   
これで簡単検査しよう
セックスも命がけ!
http://www.labora.jp/hiv/index_pc.html
http://members.goo.ne.jp/home/oraquick
426 : 名無しさん@1周年 : 02/12/23 04:35 ID:zJksv3tm
http://britneyspears.ac/physics/basics/images/britneycbvb.jpg
おっぱいMBE成長?
427 : 名無しさん@1周年 : 03/01/03 10:44 ID:MVftkRVF
年も明けたので2002年の半導体のトレンドについて語りませんか?
428 : 名無しさん@1周年[sage] : 03/01/03 11:13 ID:qWyTJ8i7
Cuってどうよ
429 : 名無しさん@1周年[sage] : 03/01/03 14:37 ID:4zBCN9YH
SEMI F47(Specification for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag Immunity)

か...
430 : 山崎渉[(^^)sage] : 03/01/11 08:12 ID:C7hmD2Na
(^^)
431 : 山崎渉[(^^)sage] : 03/01/18 14:14 ID:+f5KLcRV
(^^)
432 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/01/30 18:43 ID:3XudUtWr
プロセス技術者ってのはどんな仕事をする人たちなんだろ?
就活中なんで、ちょっと気になる・・・
433 : 名無しさん@3周年 : 03/01/30 20:31 ID:OHoGlCYs
>>><a href="http://science.2ch.net/test/read.cgi/kikai/1000129333/406">406</a>
CMP終点検出は,研磨トルクの変動で行う。

>>><a href="http://science.2ch.net/test/read.cgi/kikai/1000129333/432">431</a>
プロセス技術者:
半導体産業の中の3K。
設計→デバイスの無茶を自らの無謀で実現してやる,おしごと。
そしてラインのおっさんたちからも,「はやく(測長)SEMあけろ」とか
いわれて「すんません」と頭を下げるのも,おしごと。
装置メーカに飲みに連れて行ってもらえるのも,おしごと。
そしてまた,使えない装置をつかまされて諸共に心中するのも,おしごと。

やめといたほうが吉。
434 : 433[sage] : 03/01/30 20:33 ID:OHoGlCYs
しまった!HTMLごときでまちげーた!
逝ってくるのでゆるしてチョソ。
スマソ>ALL
435 : 名無しさん@3周年 : 03/01/30 23:22 ID:6q2LJ9jM
>>432
プロセス技術者やって6年。
アホ営業の未来予想図を実現しなきゃならないのもお仕事。
現場を暗示にかけて、いいと思い込ませてやる気にさせるのも仕事。
会社に寝袋持っていくのも仕事。
トラブルでケータイで呼び出されるのも仕事。
プロセス技術者を何でも屋だと思っている人数多し!
436 : *** : 03/01/31 10:06 ID:JlGJy+QO
ホント?某半導体メーカーのお偉いさんは、こうおっしゃいました。アッシングで
ピュアO2はもったいない!!!エアーでいいんだよエアーで!ホントに飯野化よ
ちょっとおかしい人だと思うけど・・・
437 : 名無しさん@3周年 : 03/01/31 10:13 ID:82GGbLpZ
>>433-435
とりあえず、すごい大変そうってのは伝わってきました・・・
んでは、やっててよかったーみたいな事はないですか?
438 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/01/31 10:50 ID:5lkKygFa
>>433
<そしてラインのおっさんたちからも,「はやく(測長)SEMあけろ」とか
<いわれて「すんません」と頭を下げるのも,おしごと。
ワラタ
ドキュソにまで馬鹿にされるのか。
439 : 433[sage] : 03/02/02 07:38 ID:KfmR+uwV
<a href=438 target=_blank>>>438</a>
まぁそんな「DQN」も、いいとこあるよ。
仲良くなると、「社運を掛けた」ロットをどけてでも
しょーもない実験させてくれるからね。
440 : 433[sage] : 03/02/02 10:35 ID:KfmR+uwV
なんだよ、またやっちまっただよ。↑HTMLミス。
おかしいなぁ。ソース見たりしてやってるんだが...。

スレ厨房でスマソ>ALL
441 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/02/02 22:27 ID:Dd2UB3s+
>>440
ふつうに>を2つ書けばタグはホストがわで埋め込まれる。

スレ違いsage
442 : 名無しさん@3周年 : 03/02/03 00:18 ID:Ychg4pCR
シランと水素の混合ガスを排気しようと思ったら、
やっぱ窒素希釈しないとあぶいよね。
443 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/02/03 00:27 ID:DqSXGj6v
>>442 可燃+可燃 DRYのケシから火噴く。 混合しなくともN2パージしる。
444 : 名無しさん@3周年 : 03/02/03 21:59 ID:2cxSQEPR
今注目されてる技術とか、こんなものがあったらいいな~みたいのってありますかね?
445 : *** : 03/02/06 10:41 ID:PPHA2Sfk
無重力空間でのデバイス製造。これが出来れば、いいと思いますよ。
446 : 名無しさん@3周年 : 03/02/23 04:47 ID:gokUqhTM
元気ないですねぇ・・・
なにか話題はないのかっ!!
447 : 名無しさん@3周年 : 03/02/24 03:30 ID:Z3EH45AI
トルネードバルブどうよ
448 : 名無しさん@3周年 : 03/02/24 15:05 ID:M+btMp/K
過去ログです。
1: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041260616.html
マタカ[]乱交サークル個人情報漏洩[]アホ
2: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041268516.html
マタカ[]乱交サークル個人情報漏洩[]アホ 【part2】
3: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041274177.html
マタカ[]乱交サークル個人情報漏洩[]アホ 【part3】
4: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041288143.html
マタカ[]乱交サークル個人情報漏洩[]アホ 【part4】
5: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041311110.html
【岡ちゃん】乱交サークル個人情報漏洩【最高!】Part5
6: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041321139.html
【岡ちゃん】乱交サークル個人情報漏洩【最高!】Part6
7: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041353460.html
【岡ちゃん】乱交サークル個人情報漏洩【最高!】Part7
8: http://page.freett.com/dat2ch00/030107-1041609085.html
【岡ちゃん】乱交サークル個人情報漏洩【最高!】Part8
9: http://2chlog.homeftp.org/20030203/1041773755.html
【議員の息子】乱交サークル個人情報漏洩!【会社役員】Part9
10:http://2chlog.homeftp.org/20030203/1042853091.html
【議員の息子】乱交サークル個人情報漏洩【PWC大ちゃん】Part10
449 : 名無しさん@3周年 : 03/02/24 15:06 ID:1ymlDQ5t
↓↓↓↓↓★ココだ★↓↓↓↓↓
http://www.pink-angel.jp/betu/index.html
450 : ↑乱交会員の1人 : 03/02/24 15:08 ID:M+btMp/K
K-1/あ行 岡崎邦● 45 2002.12.07       「1回参加」
株式会社 ●ピード・インダストリーズ http://www.speed-group.co.jp

半導体メーカーさんですか?
451 : 名無しさん@3周年 : 03/02/25 06:06 ID:v8gGWovp
実装技術でなんかいい本無いの?
452 : 名無しさん@3周年 : 03/02/25 06:29 ID:SLLshnTp
エロ求む
http://homepage3.nifty.com/digikei/ten.html
453 : 名無しさん@3周年 : 03/02/26 02:25 ID:BL5Ljupx
>>436

Low-k世代だとアッシングは非常に重要なファクターで
あるはずだが。例えばDual Damascene作るときにいかに肩落ちなく
材料へのダメージなく高速、パーティクルなしで実現するか、すげー大変。
そのオヤジ、イラクにでも逝って人間の盾にでもなった方がいいよ。
454 : 名無しさん@3周年 : 03/02/26 03:06 ID:iKJauhmZ
それぞれに言いたいことは沢山あるでしょうけど取りあえずこんなデータもあるんです。
少しは溜飲が下がるのではないですか。

http://pakopako.misty.ne.jp/enter.cgi?id=fdeai
455 : 名無しさん@3周年 : 03/02/26 04:56 ID:YRJbF0SB
   ______________
 /:\.____\
 |: ̄\(∩´∀`) \  <先生!こんなのがありました!
 |:在  |: ̄ ̄ U ̄:|
http://saitama.gasuki.com/kaorin/
456 : 名無しさん@3周年 : 03/02/26 05:29 ID:ZvYgTR7q
↓↓↓↓↓★ココだ★↓↓↓↓↓
http://www.pink-angel.jp/betu/index.html
457 : 山崎渉[(^^)] : 03/03/13 13:44 ID:XsBsiqkW
(^^)
458 : 山崎渉[(^^)] : 03/04/17 09:47 ID:TD8w3T+L
(^^)
459 : 名無しさん[sage] : 03/04/17 12:31 ID:ArJgataa
女子トイレ内を隠し撮りで京大整形外科教授逮捕-京都

・京都市下京区の阪急河原町駅で、京都大学整形外科教授 N村孝志容疑者(54)を
 女子トイレ内を隠し撮りしたとして、警視庁は軽犯罪法違反の疑いで逮捕した。
 近く同容疑で書類送検する。

 調べでは、教授は3月29日午前0時10分ごろ、京都市下京区の阪急河原町駅の
 女子トイレで、手を伸ばして個室内を上からデジタルカメラで撮影しているのを駅員に
 発見された。
 同容疑者は容疑を認め「ほかにも10件ほどやった」と供述。
 同容疑者は現在京都大学整形外科の教授で、専門はリウマチ。

 京都大学は「事実関係を確認したうえで、厳正に対処する」としている。
460 : 名無しさん@3周年 : 03/04/17 22:30 ID:wROccyU6
Photomask Japan 開催中age
461 : 山崎渉[(^^)sage] : 03/04/20 03:59 ID:NZVEJMjC
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)
462 : 名無しさん@3周年 : 03/05/01 08:56 ID:QlhY9S01
アナログLSIの設計部の方いますか?
アナログ部門ってハード的な事も結構やりますよね。
半田ごて握ってオシロつかってます?
463 : 動画直リン : 03/05/01 09:13 ID:qxQI+bbB
http://homepage.mac.com/hitomi18/
464 : 名無しさん@3周年 : 03/05/14 23:32 ID:uCC2nNlU
「興味のある半導体材料、又は半導体デバイスについて書け」
というレポートがでたのですが半導体自体なんなのかよくわかりません。
参考になりそうなHPがあったら教えて下さいm(_ _)m
465 : 名無しさん@3周年 : 03/05/15 00:14 ID:wFHqeDM5
>>464
中に入っているEmotion Engine, Graphics synthesizerは
かなり最先端の半導体だぞ。
http://www.jp.playstation.com/
466 : bloom : 03/05/15 00:25 ID:wa8Ift9m
http://homepage.mac.com/ayaya16/
467 : : 03/05/15 18:27 ID:EC56NhEH
日本の開発してる新型メモリっていつ量産できんの?
468 : 名無しさん@3周年 : 03/05/16 02:11 ID:guZ8rRov
>>464
GaN InP SiGe とかな。
469 : 名無しさん@3周年 : 03/05/18 00:42 ID:AUOuQHn1
おいこら!もっと勉強しる!
日系マイクロのヘッドライン程度の知識でどうするよ?
470 : 名無しさん@3周年 : 03/05/18 01:56 ID:fbs7LArx
>>462
測定で使っています。
設計と測定を分業しているところもあると思いますが
うちは両方やる人が多いです。
471 : 山崎渉[(^^)] : 03/05/21 23:15 ID:7juH6kVC
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―
472 : 山崎渉 [(^^)] : 03/05/22 08:12 ID:rh9GHT5p
>>462
オシリつかってます。
473 : 名無しさん@3周年 : 03/05/22 13:16 ID:V2Y8kqQH
>>462
設計者だけど、出来上がったウエハに針立ててオシロで波形見たりしてます。

工場に測定依頼することも出来るけど、自分で見るのが手っ取り早いんだよね。
474 : 名無しさん@3周年 : 03/05/22 13:49 ID:oPDQJ0xx
おまいら! 久しぶりのでっけえ祭りだ! 千葉県警はとっとと逮捕しろ! 

      【しつけの悪さを注意され逆ギレし殴ったDQN親】

(略)殴ろうと思ったら弟が横からやってきてボカッ!バコッ!!
少しするとヒデも出てきてまたもやバキッ!ボカッ!バコッ!!
「アタシらがしつけの悪い親だよ!!」と言うと「すいません、すいません!!」と泣きそうな顔で謝り、ガタガタ震えていました。
殴るヒデの手を止めようとする店長の手を押さえ、「店のためだよ」とワタシが言うとすんなり手を引っ込めたということは殴られても仕方がないなと店長も思ったのでしょう。
ヒデは店長にも「お前んところは従業員にこういうことを平気で言うような教育をしているのか!と怒鳴りまくり。かなり大暴れしてしまいました

↑こいつら傷害罪の他に、「恐喝」「威力業務妨害罪」「脱税」まで日記で暴露してますw

【わんわん】JOYと愉快な仲間達6匹目【共和国】(暫定的な大本営)
http://ex.2ch.net/test/read.cgi/net/1053565837/
「しつけの悪さを注意され逆ギレし殴ったDQN親」のまとめ
http://www.updown.org/toku/dqn.htm
簡単なJOY騒動まとめ
http://homepage3.nifty.com/rose_au_monde_club/joy.html
475 : 山崎渉[(^^)] : 03/05/28 14:30 ID:/6YB7YdC
     ∧_∧
ピュ.ー (  ^^ ) <これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  =〔~∪ ̄ ̄〕
  = ◎――◎                      山崎渉
476 : 名無しさん@3周年 : 03/06/26 21:37 ID:N5+6wPtZ
あのぅ、UJTとダイアックについて詳しい方いらっしゃいませんか??
477 : 山崎 渉[(^^)] : 03/07/15 13:00 ID:Ji/MgYLv

 __∧_∧_
 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
 |\⌒⌒⌒\
 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄
478 : 名無しさん@3周年 : 03/08/04 06:17 ID:SuhbaXga
美少女コスプレイヤーのパンチラと
パイパンおまんこが見れるサイトを発見でつ!!!
http://plaza16.mbn.or.jp/~satchel/idolno_omanko/

パイパンおま○こは本当に美しい… (*´∀`*)ハァハァ
479 : _[sage] : 03/08/04 07:19 ID:VZZIqQTg
http://homepage.mac.com/hiroyuki44/jaz05.html
480 : 山崎 渉[(^^)] : 03/08/15 18:30 ID:c/ebNb1T
    (⌒V⌒)
   │ ^ ^ │<これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  ⊂|    |つ
   (_)(_)                      山崎パン
481 : 名無しさん@3周年 : 03/10/08 12:41 ID:K7XJCSre
トランスメタのイフィシオン、90nmで富士通が作るんだってさ。
富士通って意外とすごいんだね。何をやっても二流ってイメー(略
だれかそこで働いている人いる?
482 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/10/10 23:55 ID:jKszqXEu
>>481
プロセス屋は結構すごいよ。設計屋の自己満足くそ設計を
作っちゃうからね。でも、設計を凝りすぎるとプロセスに金が
かかるから、なかなか儲からない...
483 : 名無しさん@3周年 : 03/10/13 06:36 ID:VclzSpBb
ウェーハ上の付着物防止、汚染防止の対策方法を教えて下さい。
484 : 名無しさん@3周年 : 03/10/13 11:35 ID:RyD9u3k+
稀に見る糞スレ
http://human2.2ch.net/test/read.cgi/owarai/1066010965/l50
@お笑い小咄
485 : 名無しさん@3周年 : 03/11/02 14:00 ID:Jcsg4upq
FIBについて勉強中
486 : 名無しさん@3周年[sage] : 03/11/02 14:30 ID:8nfNUn7V
>>485
使い方を?
487 : 名無しさん@3周年 : 03/11/02 19:10 ID:lY8wrYYf
ttp://www.labs.fujitsu.com/fala/fib1.html
ダイヤモンド加工に使うんでしょ?
488 : 名無しさん@3周年 : 03/12/03 09:31 ID:66JBb/VT
age
489 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/03/24 20:22 ID:yVUB2Kpd
age
490 : 名無しさん@3周年 : 04/04/06 23:04 ID:YFht8A9X
プロセサってなんですか?
http://ne.nikkeibp.co.jp/NMD/2004/0401/index.html
491 : 名無しさん@3周年 : 04/04/08 00:27 ID:CaK/tmNf
>>490
普通にprocessor(演算処理IC)のことを指すと思うが。
この分野はTIなんか強いんだろうが、インテルも出しているんだね。
http://ascii24.com/news/i/tech/article/2003/02/13/641815-000.html?geta

492 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/04/14 22:30 ID:H1KDxXy1
鉄「だからどうしてくれんだよ守ぅ!!
守「ご…ごめんなさい 僕…
鉄「ごめんですむかよ!! 見ろよこれ
守「で…でもぉ
姉「守…どうかしたの?
鉄「守がCMPでしくじっちゃったんだよそのウェハ!! 僕が持ってきたやつ!!
守「ごめんよ鉄雄 僕 製造しなおすからさぁ
姉「そうね…私もお金を出すわ鉄雄君 何工程くらいするものなの? これ…
鉄「フン!! お金なんてもらってもダメだね だって僕ら買えねぇもん IBMのだし
  親戚の兄ちゃんにもらったんだ 製造なんてできっこないだろ!!
姉「ま…守 あなた あんなの開発してるの?
守「…
鉄「そうだ!! 姉ちゃんでいいや 
姉「え…
鉄「姉ちゃんがこのウェハの代わりをしてくれたら 弁償しなくていいよ
  おい守  姉ちゃんの名前は!?
守「……… み…美奈姉さん
鉄「美奈 服をエッチングさせろ!!
姉「えっ?
鉄「エッチングだよ 早く!!
姉「は はい…
守「ね… 姉さん
姉「て…鉄雄君 やっぱりやめましょう こんなこと…ね
鉄「ダメだ!! だったらこのウェハ成膜して使えるようにしてくれよ
493 : 名無しさん@3周年 : 04/04/14 22:31 ID:H1KDxXy1
        lヽ ノ l        l l l ヽ   ヽ
  )'ーーノ(  | |  | 、      / l| l ハヽ  |ー‐''"l
 / P  | | |/| ハ  / / ,/ /|ノ /l / l l l| l  C ヽ
 l   ・  i´ | ヽ、| |r|| | //--‐'"   `'メ、_lノ| /  ・  /
 |  V  l  トー-トヽ| |ノ ''"´`   rー-/// |  V |
 |  ・   |/     | l ||、 ''"""  j ""''/ | |ヽl  ・ |
 |  D   |       | l | ヽ,   ―   / | | l  D  |
 |   !!  |     / | | |   ` ー-‐ ' ´|| ,ノ| | |  !! |
ノー‐---、,|    / │l、l         |レ' ,ノノ ノハ、_ノヽ
 /        / ノ⌒ヾ、  ヽ    ノハ,      |
,/      ,イーf'´ /´  \ | ,/´ |ヽl      |
     /-ト、| ┼―- 、_ヽメr' , -=l''"ハ    |  l
   ,/   | ヽ  \  _,ノーf' ´  ノノ  ヽ   | |
、_    _ ‐''l  `ー‐―''" ⌒'ー--‐'´`ヽ、_   _,ノ ノ
   ̄ ̄   |           /       ̄
494 : 名無しさん@3周年 : 04/04/14 23:01 ID:rEVJAkrn
>>492-493
ワラタ
495 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/04/16 07:45 ID:DW4otjDs
>493
続きのウェットプロセスもキボンヌ
496 : 新人[sage] : 04/04/16 19:49 ID:bUWa0AKp
仕事がラインの都合に左右されるとめんどいなあ。
強引に割り込むと自分の残業は減り、他人の残業が増えるなんて。
面の皮が厚いと楽できるのかな。
497 : 名無しさん@3周年 : 04/05/30 08:26 ID:aHKe2nIc
ムーアの法則とフレミングの法則の違いがわからないエンジニアって結構いますねあちこちに
498 : 名無しさん@3周年 : 04/05/30 13:18 ID:9Zm5T4BI
>496
そうだろうね。面の皮厚いのと、声がでかい人が出世していくからね。
周りの人には嫌がられるけど。
499 : 名無しさん@3周年 : 04/05/30 14:03 ID:U+zvKJ0E
SEMでパターン断面観察したいんだけどどうやって切ったらいい?
何か良い方法ありませんか?パターンは0.15μL&Sです。
500 : 名無しさん@3周年 : 04/05/30 16:22 ID:9Zm5T4BI
そのパターンの長さによるんじゃない。
100um位あればダイアモンドペンとピンセットで劈開できる人もいるし
無難にFIBかな。装置なければ外注になるけど
501 : 名無しさん@3周年 : 04/05/31 00:17 ID:Hj1lDqVA
劈開ってうちはウェハのエッジにダイヤモンドペンで傷つけて
2本のピンセットでその傷をはさむように持ちウェハを山折する
感じで割ってたけど
机にテープで細い銅線(何でもいい)を貼り付けてペンで付けた傷を
銅線に合わせて銅線の上に乗っけたウェハの左右をピンセットで
上から押すと簡単に失敗少なく割れますね。
502 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/08/10 14:00 ID:gKr0O4V1
SiとSiO2の界面準位密度をMOSの低周波測定(Quasi-Static法)から求めたいんだけど
どの本読んでもいまいちわかんない・・・。誰か教えてください。
503 : 名無しさん@3周年 : 04/08/29 09:18 ID:MgmMPxCA
エピタキシャルウェーハの意味が分かりません。
Si基板上に、SiH4等を熱分解させて
Si層を堆積させるってことは分かるんですが、
Si上にSiを堆積しても同じではないですか?
何に使うの?
504 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/08/29 23:49 ID:fvp75zS1
>>503

比抵抗の違う膜を製膜してるんだけど。
何のためにそうしてるか知らないって そうですか
505 : 名無しさん@3周年 : 04/08/30 02:11 ID:2WJIU27l
>>504
Si上にSiを形成しても抵抗値が違ってくるんですか?
506 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/08/30 04:29 ID:baX+ce2x
IPA使ってリンスするときにウォーターマークできないように
するのになんかいい方法ないですか??
507 : 名無しさん@3周年 : 04/08/30 16:36 ID:4DzUpurN
材料系卒で設備の仕事してるが
ムーアの法則なんてたぶん一回も聞いたことない
508 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/08/30 19:57 ID:LAeMs8QP
>>505

ウェーハの12インチ化とともに最近はエピタキシャルウェーハに注目が集まってきたのではないかと思います。
エピタキシャルについてお話しを伺いたいと思います。

[エピタキシャル]

菅原:

バルクの結晶でどこまで行けるかというのをまず考えなければいけないと思います。
SEMなどで鏡面ウェーハの表面を見ますとCOP(Crystal Originated Particle)が観察されますが、
この辺がどうもデバイスの歩留まりに悪さをするのではないかと言われております。
まずこの欠陥を減らすことを一つのターゲットとしてやっていますが、
大口径になりますとこれが大きな問題となってきます。 

これに関して一つはウェーハの高温水素処理という方法で進んでおり、
どこまで行くかという話になってくると思います。エピタキシャルウェーハの場合はこういう欠陥が見られない
ということもあり、酸化膜の欠陥という点から見ましてもエピの方が優れていることが分かります。
エピをやるとコストは上がるのですが、そのコスト上昇分はVLSIの歩留まり向上分でペイできる
ということで非常に熱い視線が注がれております。64メガあたりで使いたいという企業もあるようですが、
この辺は今後決まってくると考えます。 

tp://www.innotech.co.jp/corporate/kawara/11/zadan.html
509 : 508[sage] : 04/08/30 20:05 ID:LAeMs8QP
コピペだけでは不十分なのでヒントを。

製造工程で基盤SiにBやPなど不純物をインプラする工程あるの知ってるよね。
エピの成長させる過程で不純物をドープする事で不純物濃度の勾配の制御性が上がる利点もある。

要は、そこらで売ってるBare-Siだと不純物含んでないSiだが、エピだと不純物含んだSiに最初から
なってるつー事。

半導体プロセスのどの本にも書いてる。VDとかのページ調べてみてくれ

510 : 名無しさん@3周年[sage] : 04/08/30 20:06 ID:LAeMs8QP
↑ CVDとかのページ調べてみてくれ

511 : 名無しさん@3周年 : 04/10/02 18:56:38 ID:G341gis4
はげ
512 : 名無しさん@3周年 : 04/12/02 16:46:13 ID:XB6MohWE
2ヶ月間ずっとはげ?
513 : 名無しさん@3周年 : 05/01/31 00:09:28 ID:OTA+nL3n
今日、半導体の試験受けましたが要素試験がさっぱり。
だれかエッチングの加工形状(写真付き)が乗っているサイト知りませんか?
あと金属配線異常状態の判定もあれば教えてください。
514 : 名無しさん@3周年[sage] : 05/02/06 17:26:24 ID:1ZcbZeyJ
>>513

毎日仕事でみてますが何か?
515 : 名無しさん@3周年[sage] : 05/02/06 19:39:32 ID:M3bBN46w
エッチングの加工形状や金属配線異常状態って、知る人が見たら
会社のクセとか問題点とかいろいろ判っちゃうんじゃないの?
ふつうはこんなとこで教えないと思われ。
516 : 名無しさん@3周年 : 05/02/11 07:34:47 ID:0z5q8LUK
>>514
できれば参考にされた資料や本の題名を教えてくれませんか?
まことに身勝手ながらいくら探しても加工形状や金属配線異常の写真が
わからないので・・・。
517 : 名無しさん@3周年 : 05/02/12 22:31:17 ID:TPPFEqEe
窒化膜は保護膜でしょう。プラズマ窒化膜がいい例ですね。
例えば色々パターン形成後に保護膜がないと大変な事になりますよね。
AL配線が剥き出し状態だとか・・・。まっ保護膜に関しては
他にも色々あるとはおもいますが・・・。
518 : 名無しさん@3周年[sage] : 05/02/20 02:42:14 ID:RhAhiWnw
>>513
エッチング工程由来の金属配線の異常って
1 レジスト残りのせいで加工できてない。
2 ドライならプラズマのせいでダメージ
とかのこと?
519 : 名無しさん@3周年 : 05/03/13 11:40:08 ID:6eCn9mYd
良スレage

エッチング形状ってDRYとWETで全然違うし、工程によっても合否判定
違うから、一概に纏めてるサイトはないと思うよ。

つ~かALの残渣がなくならん・・・
520 : 名無しさん@3周年 : 05/03/14 15:31:21 ID:qB1l/ddH
ハロワ行って半導体会社の紹介状書いてもらったけどわけわからん・・・。
どうしよう・・・。
521 : 名無しさん@3周年[sage] : 05/03/15 02:42:37 ID:62Wvu4JD
箱を持って装置へ運んでボタンを押して、箱を持って装置へ運んでボタンを押して、
箱を持って装置へ運んでボタンを押して、箱を持って装置へ運んでボタンを押して…
の繰り返しだから、わけがわからなくてもできるよ。このスレで語られるような内容を
覚えておく必要ない。
522 : 513 : 2005/03/29(火) 16:40:12 ID:obaaErii
ttp://www.degitalscope.com/~mbspro/userfiles_res/pachipuchi/index.html
上記に私が手書きでエッチング加工形状と金属配線異常の図を描きました。
へたくそですが・・・。
このような問題が出たのですが、それぞれ何という状態なのでしょうか?
皆様ご教授お願いします。
523 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/03/30(水) 00:28:27 ID:tF/lP9cY
エッチング加工技術の①は下側のポリシリコンまで到達してない?その部分のエッチングが足りない?

金属配線異常の③は断線してる?でっぱってるとこはコンタクトかスルーホールなのかなぁ?

金属配線異常の④はゴミだか空乏かわからんけど、それで断線しそう?

断線してたら電力や信号は伝わらんな。

それらの状態をなんというのかようわからん。
設計に関してに比べたら製造に関しての情報のほうがwebとかにはなさそうだしな。
資料探すのも苦労しそう。
524 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/07(木) 03:41:34 ID:1Z6XkdbF
>>522
エッチング加工形状
①コンタクトと一般には言われている。
②絵がイマイチなんだけど、テーパ、逆テーパ、異方性
 の中からだと異方性
③この絵ではわからん。
④逆テーパー
金属配線異常
工程によって変わってくるから対象膜及び
加工方法が解らんとコメントしようがない。
①配線の形状からいってGateかな?Gate
だとすると、Topかbottomかで変わってくるし
そもそもFPD?メモリー?
う~むレーザーやANL工程を使用するなら
膜昇華とか飛びと思われる。
②何の絵だorz 電極なのかい?
③配線構造からいってALとかの配線だよね
 基本的に断線と呼ぶ。リソとの選択比がないと
 こんな感じで断線します。
④AL配線で黒いものが付着しているなら異物
 配線が欠損しているなら、腐食。

がんばってね^^

 
525 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/09(土) 02:34:14 ID:Um470doj
ウェハのテスト高低温動作試験してるんだけどさ、
テスト結果のエラーチップががウェハの中央に集中してて
まるで目玉焼きみたいになってるんだよ。しかもLot枚数の50%で発生する。
リーク電流関係のエラーはともかくとしてなんでこんな風になるんやろ?
プロセス中にセット枚数を2回に分けて行う大電流インプラが
原因とかわめいてる香具師が部署にいるんだが信じていいのか?
エラー起こしたチップの隣は大丈夫やろか?残りのウェハも
そのまま流動して良いかどうか不安。
誰かこんな現象見たことある人いる?
526 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/10(日) 22:24:10 ID:KYql+j9r
半導体関係の会社で機械科の学生はどういった仕事をするのでしょうか?
職種など教えてください
527 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/04/10(日) 22:40:27 ID:ybM+4d9U
装置のメンテしたり、装置のメンテしたり、装置のメンテしたりする仕事
528 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/11(月) 01:37:03 ID:8xhbzV91
>>525
マイクロローディングorローディングとか呼んでた
現象に似てる。
10年前にドライエッチ担当してたときの記憶では・・・
μ波で頻発してたような。
529 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/11(月) 01:50:49 ID:8xhbzV91
>>525
もひとつ
μ波エッチでECR面が不安定になると発生していた記憶が。
エラーチップがドーナツ状に分布したり面白い感じになってた。
パラメータ、チャンバー周りのリークを確認してみては?
530 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/13(水) 19:38:30 ID:13cNTE3k

       /                    .\
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  .._ |_|                       |_|_..
     |  |     さあ‥ 逝こうか‥‥     |  |
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531 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/04/13(水) 19:46:57 ID:grolZPRw
60nmの世界へ
532 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/13(水) 23:37:51 ID:osX9IBvg
フォトマスクジャパンage
533 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/04/14(木) 09:49:44 ID:DJpfoAi9
>>531
しかしスケールだけでは性能向上の限界が見えてきているでしょう。

ひずみSiやGeなどの技術はどう思うよ?
534 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/04/14(木) 18:42:24 ID:Z6XaVBO7
>>533
いまの方式は、もうそろそろ厳しそうだね。なにがいいかわからんが、原理的な革新がほしい。
そしたら、うちの会社は・・・・
535 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/20(水) 23:11:24 ID:mc5Yb0UU
>>528
ありがとう、あれから色々調べて見たが、
当該の語句そのものが解らん(つかそれとは関係ないと)
としてまだ続いている。エラーチップ解析して証拠突きつけてみるよ。
今の装置でも起きる現象なら、エラーチップの画像あれば楽なんだがな。
536 : 名無しさん@3周年 : 2005/04/26(火) 23:54:40 ID:u2Oxno1G
SiC加工をやってらっしゃる方いらっしゃいますか?
537 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/05/16(月) 00:34:06 ID:c10GZCII
機械科でマイクロマシン関連の研究をしていて半導体プロセスやってます。
半導体関連の会社でお仕事ってさせてもらえそうですか?
538 : 名無しさん@3周年 : 2005/06/20(月) 18:10:44 ID:hbWdziot
このスレ見てたら昔半導体工場で働いてたの思い出したよ。
いやぁ、懐かしいなぁ。
ちなみに漏れはwf触って放置してたら後で問題になっちまった。
そのまま知らない顔してたら何事もないような感じになってた。
同僚は犯人知ってたぽいけど。
539 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/08/18(木) 14:56:04 ID:k8ieLKdG
いまだに3インチ、4インチのウェハで製造している工場って
あるんでしょうかね?

自分は2.5インチのウェハを最近見たが、昔はあれで開発していたの??
小さすぎだYO!
最近のウェハ搬送ロボットのアームより小さそうだ。
540 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/10/15(土) 09:29:22 ID:b8cB/eX7
>>539
ヒント:ガリ砒素ウェーハー
541 : 名無しさん@3周年 : 2005/11/16(水) 01:37:30 ID:dNokoTG9
最近は12インチしか見てないな…
542 : 名無しさん@3周年 : 2005/11/24(木) 15:52:10 ID:dGttwBIU
半導体新素材が出るって聞いたことある?
543 : 名無しさん@3周年 : 2005/11/25(金) 07:32:36 ID:Ce0WLV1r
新素材って具体的になに?
544 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/12/04(日) 15:16:21 ID:k5dhj+Rs
赤・緑・青色発光ダイオードは、どの順で値段が高いのですか?
545 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/07(水) 14:41:29 ID:Qygm8rjR
エネルギーバンド図で何をみてる?
なにに注目してみてる?
キャリアの多さだけ?
546 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/16(金) 11:02:21 ID:bapkFDbk
装置メーカーの営業をしているのですが、
膜厚均一性3σの意味が分かりません。
計算方法やメリットなどを説明している本や
サイトがあれば紹介していただけるとありがたいです。
547 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/12/16(金) 12:14:55 ID:xA2Uo6wd
つ高校の数学教科書
548 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/17(土) 02:43:43 ID:bs069SXu
超高集積を可能とする起立型ダブルゲートMOSトランジスタの作製に成功
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2005/pr20051208/pr20051208.html
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/topics/newtopics.html#20051213_3
独立行政法人 産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 先端シリコンデバイスグループ 遠藤 和彦 研究員http://www.aist.go.jp/らと、
国立大学法人 東北大学 流体科学研究所の 寒川 誠二 教授http://www.ifs.tohoku.ac.jp/は共同で、シリコン基板に損傷を与えない中性粒子ビームを使って、
超高集積が可能な起立型ダブルゲートMOSトランジスタの特性向上に初めて成功し、12月8日の日刊工業新聞と12月9日の日経産業新聞に掲載されました。

  問い合わせ先: 東北大学・流体科学研究所 教授 寒川 誠二 
          E-mail: samukawa@ifs.tohoku.ac.jp
549 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/17(土) 15:09:42 ID:+jpSPA/o
膜厚均一3σの意味がわからんのが、装置の営業
やってるという事実があったのか。

>>546
σは標準偏差でバラツキをあらわす。
数値データの平均値と各データの差を二乗した値を足して
それをデータの数で割って、さらに平方根をとったもの。
(ばらつきが正規分布を仮定している)
工程能力指数というものを出すときにはこの値に3をかけた3σという
数値が関わってくる。

膜厚の規格値が1μm±0.1μmのときにσが0.01μmだとする。3σは0.03μm
ここで規格値の許容幅を3σで割るとCp、工程能力指数という値が出る。
この場合Cpは0.1/0.03 で 3.33になる。
σが0.05のときは Cpは0.1/0.15=0.67
Cpは一般的に1.33以上あればいいといわれている。Cp=3.33だと
何十億回に一回くらいしか、規格を外れるのが出ない。
Cp=0.67だと90%くらいしか膜厚を満足しない。10%以上が不良品になるということ。
Cpが1を切るような場合はもうだめだめだろ?
(ちなみにCp=1のときは99.6%が良品、品質工学の入門書を読めばわかる。)
550 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/17(土) 15:11:02 ID:+jpSPA/o
まとめると
 Cp=規格値の許容幅/(3σ)であるとして
Cp= 1  良品率99%以上
CP= 1.33 良品率99.999%
CP= 1.67 不良品なんか滅多にでない
(計算に間違いがあるかもしれないので、鵜呑みにはするなよ。自分で検算しろよ)

あきらかにばらつきをあらわすσが小さいほどCpが大きくなる。だからみんな3σにこだわるわけ。
あるメーカの膜厚規格値が2±0.2μmのときに>>546がσ=0.1μmの装置を持って売り込みに
いったとしても、Cpは0.2/0.3=0.67ということになり、相手にされない。
改良してσ=0.05の装置を持って売り込みにいくとするとCpは0.2/0.15=1.33になり、
これなら検討してもいいかなというわけ。
551 : 名無しさん@3周年 : 2005/12/17(土) 15:15:46 ID:+jpSPA/o
ちなみに参考文献は

品質管理 シリーズ現代工学入門
久米 均 (著)

などがいいと思う。初心者にもわかりやすい。
標準偏差ってなに?正規分布ってなに?とかいう基礎学力の足りない
人は高校の数学の教科書で勉強してください。
えー全然わかんなーいとかいうだけで勉強しようとも思わないアホは
死んでいいよ。
552 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/12/17(土) 15:18:37 ID:7bZIfeA8
バラツキが正規分布でないものにも3σを研修条件として適用していて、
数学的に破綻をきたしているデバイスメーカーもよくあるけどな。
553 : 名無しさん@3周年[sage] : 2005/12/17(土) 15:28:57 ID:+jpSPA/o
>>552
そうつっこまんで下さい。一応>>546へのわかりやすい例と
して提示しただけです。
554 : 544[sage] : 2005/12/21(水) 00:22:03 ID:cUFMEfS6
レスまだですか?
555 : 名無しさん@3周年 : 2006/01/25(水) 18:53:42 ID:MOBJG9vf
エッジリンス・バックリンスって何でしょうか?
556 : 名無しさん@3周年 : 2006/01/29(日) 12:25:03 ID:iNUQn+L8
スピンコートでレジスト塗ったりするときに、ウェハの端っこに着いた
レジストを落とすのがエッジリンス。
バックリンスはウェハの裏側に回りこんだのを落とす。

なんでレジスト付いてると良くないかっていうと、搬送でゴミになったり、
露光機にいれたときに裏側にちょっとついたレジストの厚さ分だけ
傾いたりして焦点があわなくなるから。
557 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/03(金) 19:51:25 ID:aZzN9EGa
 今度、通販の半導体講座受けようと思います。良かったら報告しますね。
二つあるんですけど、やっぱ後工程は専門のエンジニアでないとわからない
のか。
558 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/04(土) 20:42:47 ID:s9Uo6Zqk
大学で研究室が半導体VLSI関係で
卒研のテーマをデジタルかアナログを選ばないといけないんです。
就職ではアナログの方が有利だがデジタルの方が簡単と聞きました。
どうなんでしょう。
559 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/04(土) 21:49:10 ID:mc2isKq7
その通り!
貴方が将来何をやりたいかにもよるが
アナログの希少価値並びに回路の基礎としてのアナログをマスターした人の
方が就職には有利かも。
560 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/05(日) 23:51:43 ID:BEGFkjmd
CVDでの酸化膜デポはどのくらいの処理温度なのかな~?1~2um成膜する
のにどのくらいの処理時間なの?
CVDのこと全く知識ないので誰か教えて下さい。
561 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/06(月) 01:56:17 ID:tK5bgP3B
半導体集積回路を製造できる素子はシリコン[si]、ゲルマニウム[ge]
ではできない素子は?
562 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/07(火) 18:20:57 ID:hyez6BMK
デジタルLSIとアナログLSIって
具体的に身の周りにあるもので何に使われてんの?
563 : 名無しさん@3周年 : 2006/02/08(水) 14:27:15 ID:YeZvqpGc
ケータイ・・
くるま
564 : あぼーん[あぼーん] : あぼーん
あぼーん
565 : 名無しさん@3周年 : 2006/03/16(木) 13:12:05 ID:jQpqUwOo
温水便座
100円均一で売ってるラジカセ
566 : 名無しさん@3周年 : 2006/03/16(木) 23:20:40 ID:maURkIwU
製造途中で不良が見つかった物は捨てちゃうんですか?
567 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/03/26(日) 22:09:52 ID:y+D0/P1L
マーキングすんだよ
568 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/03/26(日) 22:53:05 ID:vo8gqRZ4
じゃあリサイクルされるってことですか?
569 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/03/32(土) 17:18:26 ID:LU1Q5nH5
該当チップだけ捨てるんだよ
570 : 名無しさん@3周年 : 2006/04/23(日) 23:00:36 ID:2uCag+4x
新素材で酸化モリブデンが発表されたけど実際どうなの?
571 : 143 : 2006/04/26(水) 12:57:56 ID:Z12U/hbe
■■■■■■■■■■■■■■■■
■                     ■  違う板にコピペすると、四角の枠の中に
■                     ■  メッセージとURLが現れる不思議な絵。
■                     ■
■                     ■  (その仕組みがリンク先に書いてある)
■■■■■■■■■■■■■■■■
572 : 名無しさん@3周年 : 2006/04/27(木) 23:35:55 ID:QTH/nm4k
fusianasan
573 : 名無しさん@3周年 : 2006/04/28(金) 22:53:27 ID:N1BRUdkI
ゲルマニウムを超純水で飲むと老化防止のほか記憶力や集中力が向上する、
って先輩が教えてくれました。
半導体関係者は皆知っててコソーリやってるとか。
ホントですか?
574 : クレクレ : 2006/05/09(火) 06:27:25 ID:8HJ+Teno
教えてください。エピタキシャル成長炉に用いられているサセプタに推積した
SIの除去には、どんなガスが使われているんですか?
575 : 名無しさん@3周年 : 2006/05/29(月) 19:52:55 ID:S0eHNydB
半導体材料について学びたいと思っています。
しかし、全く分からない分野でして、困っています。
半導体材料とは、学問で言うどの分野に入るのでしょうか?
また、高校生でも分かるレベルで半導体材料について解説してある
本を探しているのですが、どなたかご存知ではありませんか?
よろしくお願いします。
576 : 名無しさん@3周年[age] : 2006/05/31(水) 20:52:43 ID:YWmEk6xU
age
577 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/03(土) 21:51:47 ID:7O+z3f1z
CMPがどんな役割のするのがいまいち不明なのですが
プロセスに詳しい方教えて下さい
ウェハーの細分化?に必要らしいですが

ようは研磨してウェハーには何のメリットがあるのでしょうか?
578 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/04(日) 21:42:31 ID:wZpR3wrA
>>577

CMPは、ウェハーを平坦化するために行います。

回路パターン等を形成して凸凹のある所に再度露光工程にてパターンを形成しようとした場合、
どこで焦点をとれば良いでしょう?
凸?凹?
仮に凸でとった場合、凹上のパターンは吹っ飛んでいたなんてことがあります(その逆もしかり)
もちろん、凸凹の段差が小さくかつ焦点深度が十分にある露光プロセス(光源、レンズ性能、レジスト、求める線幅)
であればなんとかなります。

これを解消するためにcmpにより段差を無くして露光プロセスのマージンを稼ぐ!
579 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/04(日) 22:34:11 ID:jaESfyNp
>>578

難しすぎてわかりません
もっとわかりやすくお願いします
580 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/04(日) 23:31:44 ID:mHacZ9GG
エレプラのチャズ・ハバ博士があの半導体完成させれば世界から戦争の大半が消えるのに
581 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/06/05(月) 01:18:28 ID:j9dF8ZBM
>>579
ガスで堆積させたら、あんまりきれい(平坦)にならない。
だから表面を研いてたいらにする。

582 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/05(月) 01:33:33 ID:4JKzD8Ld
電子回路的にはなんのメリットが?
583 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/05(月) 06:02:33 ID:vu6acOZ6
577=579=582??
自分がどんな立場なのか何の目的で質問してるのか明確にしないと自分のレベルに合った解答なんて得られんと思うが?
これが学生ならまだしょうがない、だが社会人なら問題だな
584 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/05(月) 20:40:43 ID:e//+cCrW
>>583
CMPの設計になろうとしている。
違う装置やってたんで
プロセス的には無知なんですが

パターンを何層にもして高密にするんでしょう?

パターンを削ったら、断線とかしないの?
585 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/05(月) 21:40:42 ID:CfWBw2+d
>CMPの設計になろうとしている。

装置屋?
プロセスも知らずに装置作るのかい?w
cmpの出来が悪くても、前工程のせいにするなよw

>パターンを何層にもして高密にするんでしょう?

何層も形成します。
層が増える程、ラインとスペースの段差はどんどん大きくなりますよね。
そうすると、パターン形成(露光)が非常に難しくなる。(578が言っている通りになる)
だから、一層形成する度にcmpを行って平らにする。

>パターンを削ったら、断線とかしないの?

断線しないようにラインの膜厚を厚くする(ばらつきも小さくする)。
保護膜(スペースの部分を埋める膜)のばらつきを小さくする。
CMPの面内ばらつきを小さくなるようにする。

平坦化する量って、せいぜい0.Xum程度でしょ。
586 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/05(月) 23:11:57 ID:YOOLDkhQ
すれ違いな内容ではありますがクリーンルームの話ができそうな
スレが他にないようなので失礼します。

濾紙ってクリーンルームに持ち込みOKなのか?
ということにつぃて知りたいのですが
何か情報をお持ちの方はいらっしゃいませんか。
587 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/06(火) 00:55:55 ID:imXNRKhN
>586
ダメ。普通紙でしょ?
588 : 586 : 2006/06/06(火) 19:27:11 ID:7/bVlGti
>> 587
乾いた状態ではNGでもぬらしておけばOKというような事情
があったりするのだろうかと思ったのです。
また、
樹脂を含浸させる、といった加工はしてないわけですが、
身の回りにある印刷・筆記対応の紙と異なり
サイジングをしてないため、主な発塵要因である
充填材の飛び散りは無いです。なので、クリーン度にも
よるでしょうがCRで使えるのでは、と期待してるのですが....
589 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/06/06(火) 19:59:38 ID:PJJnM3kI
破れたりしたときに発塵するものは駄目
590 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/07(水) 01:18:05 ID:c3+6Oez/
濾紙じゃなきゃダメなの?
濾すだけなら、セラミックフィルターとかで代用できない?
ちなみに発塵は紙の繊維も該当するからね。充填材だけじゃないよ。
クリーンワイパーを重ねて濾紙みたいにして使ったことはあるけど。
591 : 名無しさん@初心者 : 2006/06/07(水) 18:05:58 ID:ZmLxfmyT
突然割込んで恐縮です。
CMPに使われるスラリーの中の粒子径ってどの位の大きさなのですか?
各社さまざまなのでしょうが、Web siteを見てもあまり表示されてないのです。
もしかしてこれって企業秘密なのでしょうか?
592 : 586 : 2006/06/07(水) 19:53:55 ID:8ShR0PtJ
>> 589
乾いた状態の濾紙はNGですね...

>> 590
> セラミックフィルター
初めて知りました。情報ありがとうございます。
洗浄して再使用できるようなので候補にいれて考えます。
けっこう広く使われてるのですね。
> 濾紙じゃなきゃダメなの
手探りで作業するのがいやなので水をキレイにできれば何でもいいです。
・チープな設備で使えて
・超音波洗浄機の水を
・半日で200L以上濾過でき
・濁りがそこそこ取れればよく(水底60cmに沈んだクリップが見える位には)
・樹脂か紙製(廃棄が面倒でない)
という条件で探したため濾紙がいいかな、とおもったのです。
洗浄して再使用できるようなのでセラミックフィルターも候補にいれて考えます。

製品に問題があるようなら水の交換頻度上げる方向で検討する
とは言われたのですが、特に問題は出ないんですよねぇ
593 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/07(水) 20:17:57 ID:47oF0Dko
>>591

メーカーに電話して、営業、エンジニア呼べ
594 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/06/08(木) 09:08:30 ID:ulJ+cC72
>>592
普通にUPEのフィルターでいいやん
595 : 初心者 : 2006/06/15(木) 00:12:52 ID:3ZEMXQxl
HEMTに紫外線を照射すると、
なぜバンドがひずみ、電流が増幅されるのですか?
どうしても分からないので誰か教えていただけませんか?
お願いします。
596 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/16(金) 01:58:27 ID:8K/2yAZn
ちがいちぇんのえねるぎーだじょ
597 : 初心者 : 2006/06/16(金) 16:04:14 ID:avhLQAfR
紫外線のエネルギーにより、AlGaNの価電子対から伝導体に電子が励起され、バンドがひずむということですか?
598 : アルバート : 2006/06/16(金) 17:44:38 ID:bDm+l3XM
CMOSのフローティングNWELLって何ですか?
599 : 名無しさん@3周年 : 2006/06/23(金) 00:41:17 ID:+cwoi2mO
new well = 新井 のことか? それ、ピアノバーじゃ。
600 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/06/26(月) 19:07:49 ID:bJzx9CzW
OAPってなに?
大阪のビルじゃないよ
601 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/06/26(月) 21:20:17 ID:jg0NHwfa
薬液
602 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/03(月) 05:31:31 ID:Wh+0adZG
半導体ってドーピングによってどれくらいまで電子数を増やせるものなんですか?
603 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/11(火) 00:24:21 ID:2fyKNEiD
ステッパーって装置の中で
最高金額?
マスクでかざして光を当てるんでしょ?

どこがすごいの??
604 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/11(火) 21:23:41 ID:bPFd8LZ5
>>603

photolitho以外で何がすごいと思う?w
605 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/11(火) 22:35:43 ID:bPFd8LZ5
露光装置に求められるのは、解像度と重ね合わせ精度。

解像度高ければ、パターンしいてはチップを微細化することが出来る。
ただ微細化出来ても重ね合わせ精度が悪ければ、パターンがつながっていないなんてこともある。
だから、重ね合わせ精度もかなり重要。
実際、重ね合わせ精度を求めてスキャナーを導入するところもある。
また、パターンばらつきが悪ければ求める性能を達成出来ないこともあるし、
このばらつきは後工程にまで尾を引いてしまう。

この露光工程(photolithography)でのみパターンを形成することが出来、
ばらつきの善し悪しやパターンの重ね合わせすべてが決まってしまう。

露光が一番偉いというつもりは無いけども、かなり重要度の高いプロセスであることは
間違いないと思うよ。

解像度の向上に対しては、最近ではArF Immesion、変形照明、Halftone/levenson reticle
アシストパターン等等、様々な手法がありますね。

EUV露光装置は40億以上と言われているけど、数年後にはどうなっているのでしょうかねw
606 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/11(火) 22:36:50 ID:bPFd8LZ5
× Immesion
◯ Immersion

ですた・・・
607 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/27(木) 13:04:58 ID:Z6eoa41k
チャンネルドープの深さとVthってどういう関係があるの?
608 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/27(木) 15:11:35 ID:LWOnlOxd
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/rikei/1153922239/l50


日本はアジアへ最新科学技術を無償で流出させるべき【毎日新聞】

1 :Nanashi_et_al.:2006/07/26(水) 22:57:19

液晶パネルを製造するシャープ亀山工場のように、全く外に見せずに秘密を守り、
時間稼ぎをするやり方も必要ですが、やがては皆が知る技術になります。

技術流出問題をめぐり、「なぜ国際協力が必要か」と問われることがあります。
他地域を顧みない「モンロー主義」を選べば、資源やエネルギーに乏しい日本は
途端にお手上げです。

日本がアジアの一員として生きていくためには、教えるべきものは教え、
「地域の発展に貢献した」ととらえる日本側の発想転換が必要ではないでしょうか。

なぜ日本はそこまで技術を出すのか。
先の戦争で、アジア諸国に大変申し訳ないことをしたという潜在意識があるのかもしれません。


理系白書’06:第1部・迫るアジア 私の提言
http://www.mainichi-msn.co.jp/science/rikei/news/20060621ddm016070074000c.html
http://www.mainichi-msn.co.jp/science/rikei/news/20060705ddm016070065000c.html
http://www.mainichi-msn.co.jp/science/rikei/news/20060712ddm016070172000c.html
609 : 名無しさん@3周年 : 2006/07/28(金) 11:48:15 ID:oMqtGsQp
先日、半導体装置の実験・評価といった内容の求人が出てたのですが、
どのような職務内容なのでしょうか?
未経験の分野なので詳細が判りません。

初心者の質問で申し訳ありません、よろしくお願いします
610 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/07/28(金) 17:53:11 ID:LJTkTAZD
そんな曖昧な質問で答えられるかよ
611 : 名無しさん@3周年 : 2006/08/04(金) 10:49:22 ID:cvoCxY69
SEMでICの一番上のアルミ配線を観察したいのですが、パシベーションや
配線間の絶縁体を何らかの方法で除去しないときちんと見えないのでしょうか。
また、金等の蒸着は必要なのでしょうか。

教えていただけると非常に助かります。
よろしくおねがいします。
612 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/08/06(日) 12:19:27 ID:2DaQVbiI
必要
金メッキ5cm必要
613 : 名無しさん@3周年 : 2006/08/12(土) 15:49:33 ID:9Ys8vcO8
ありがとうございました。
614 : 名無しさん@3周年 : 2006/09/07(木) 06:38:07 ID:vEiuzUhS
5cmって何時間かかるんだYO
615 : 名無しさん@3周年 : 2006/09/07(木) 10:04:32 ID:BqdCO/Ik
>>609
求人条件の必要な学歴をみればある程度わかるだろ
工学部大学院卒だったら相当高度なことだし
学歴不問だったら誰でもできる単純作業

616 : 名無しさん@3周年 : 2006/09/07(木) 23:13:01 ID:+Luf/HpD
HARCって何ですか?
617 : 興味本位 : 2006/09/15(金) 18:21:02 ID:Xfv8NTRZ
【半導体】韓国メーカーのコストダウン技術が日本のかなり先を行っているのはなぜなのか?
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20060904/120739/
以下要約
Q:日本メーカーは同じデバイスを作るのに韓国メーカーよりも2倍もの台数の装置を使っている
  日本メーカーは品質向上技術にばかり注力して,コストダウン技術に目が向けなかったということか?
A:頭では分かっていても実際にはできなかった。

Q:『頭ではわかっていても実際にはできない』という不可解な事態の原因について考えたい。
  その原因となりそうな確かな違いは何か?
A:日本メーカーが気にしていたのは歩留まり,台湾メーカーが気にしていたのはチップ1枚当たりの単価,という
違いが確かにある。 韓国メーカーは装置の理想限界を求める点が日本とは違っている。例えば,稼働率を限界まで
上げようとするが日本は稼働率をある値でフィックスさせて,その枠の中で歩留まりを上げるなどの努力をする。
韓国メーカーは,たまにスペックを外れる数値が出ても全体では高いパフォーマンスを示す状態を受け入れる。
日本メーカーはスペック外の数値が少しでも出ると許さない。

Q:なぜ,日本メーカーは稼働率をある値でフィックスしたり,スペックにこだわるなどコストダウンにつながらないことをやるのか?
A:「失敗してもいい」とは日本の経営者は言ってくれない。その結果,技術者の判断の基本の部分が「完璧主義」に
なっていくなど考えられる。
 それ以前に日本メーカーの技術者には,費用対効果の統計的な分析のセンスが少ない。韓国メーカーの技術者は
すべての技術者ではないが要所要所のマネージャーは,統計的なコスト分析の能力が高く、一般の技術者でも
コスト分析のスキルとまではいかなくても,コスト意識は強く持っている。
 また部門間に壁がある。同じプロセスでも,リソグラフィーとエッチングをやっている者同士が表面では仲良くても
飲み屋あたりでは「まったくあのリソ(エッチング)の馬鹿ども」なーんて互いにけなしあっている。そんな状態では
とても説得ができないから,あきらめてしまう。それを韓国メーカーはパッとやってしまう。



これってホント?
618 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/09/15(金) 19:40:19 ID:7Wc6kME3
概ねホント
619 : 名無しさん@3周年 : 2006/09/23(土) 23:06:35 ID:1ABabo+l
200ミリ ウエハーの
自動搬送って
インデクサ?
その写真とかってあります?
620 : 名無しさん@3周年 : 2006/12/01(金) 10:25:31 ID:PsCc8gF+
Tiエッチングって 1:1:50以外でやってるとこあるかな?
エッチングレートがすごく早くて困ってます。
良い資料しってたら 教えてください
621 : 名無しさん@3周年 : 2006/12/04(月) 17:37:29 ID:TIJsyz81
教えてください。
ステッパーに使われる縮小投影レンズは、一般的にCVD法で作られるのでしょうか?
VAD法?? また別の製法ですか???
622 : 名無しさん@3周年[sage] : 2006/12/06(水) 01:24:07 ID:PFVgsb4i
>>620
1:1:50ってなによ?
うちはTiのレート低くて困ってるんだけど。ちなみにドライエッチじゃ。
623 : 名無しさん@3周年 : 2006/12/08(金) 01:08:27 ID:gx4pHZFx
NF3でおk?
624 : 名無しさん@3周年 : 2006/12/20(水) 22:23:23 ID:XKMXxXa7
n腹辞めたが、ここ見ているといかにn腹の社員が多いか良くわかる。
というか、おもむろにググルで「2ch 大日本スクリーン」で検索したら普通にスレが立ってたのな。テラワロスwwwwっうぇうぇw

1年ちょっと前になるが、入社面接のとき結構人数いたが
最終面接(といっても2回目だが)のときに漏れ一人しか来ていなかったので
「他の方は既に作業のほうに入っているのですか?」と訊いてみたところ、急に黙ってたな
今となっては何故かわかるが・・・。まぁ皆入るの断ったんだろうな。漏れも当時この会社の実態知ってたら入社ドタキャンするがな。

でだ、こんな面白いスレッド見つけたからには当時のn腹の求人票でもうpしたらネタになるかなって思ったけど
探しても見つからなかったので覚えている範囲で

雇用形態:正社員
主な仕事内容:生産工程の管理(主にPCを使って作業だと記憶、当然ながら大ニホーンスクリーン勤務とは一切書かれていない
勤務地、募集人員:彦根3名野洲2名(逆かも?
社会保険:一応完備
交通費:全額(漏れは大津出身、しかも湖西線付近。一ヶ月で交通費約43000円wっうぇ でも往復で5時間 orz
給与:16万~19万(漏れの場合は16.5万だた)
手当:住宅手当1.5万前後(あったかなそんなもん・・・?
昇給:年3千
賞与:年合計2~3ヶ月?(この辺はマジでうろ覚え
休日:土日祝、年末年始、夏期休暇 (夏期休暇は有給を使って休めということ、しかも半強制的。有給無い新人には給与カットでしかない
タイムカード:一応あった。残業はついてた

他のn腹の人はどんな求人票だったかね?
しかしこの給料・・・。今やっているバイト、朝だけでこれの半分いくが・・・
午後もバイト入ったら保険料自分で払っても、n腹のときの給料と変わらんぞ・・・
625 : 名無しさん@3周年 : 2006/12/22(金) 11:18:41 ID:lnbNopzR
機械作ってたわけじゃない。
洗浄梱包担当でつ。(主に液晶

*KFとは1~4KFのこと。ただし実際漏れが入ったことがあるのは2~4
1CFはFC-1から食堂側へ一つ隣の建物だったかな?
結構前にあのあたり工事されてたから謎だが。というか、かなり昔なので覚えてない

なんかさ、ISO9001と14001、凶器をこき使って認証習得したとしか思えない。スクリン社員の対応見てるとさ。
少なくても安全面に関してはスクリン社員は結構な人数が杜撰
動いているシャッターの下を平気で潜り抜けたり、リフト使用時安全のためにロープはっても内側歩いてくるし…
現場にn腹がいたら、もしくは少しでも関わっていたら問答無用でn腹に責任押し付けてくるくせに

n腹の責任者もどうかと思う。
ある日の朝礼、年配のリフト操縦担当の社員さんが「構内で危険行為をしている人がいたら即注意して欲しい」と
その場の皆に呼びかけたが、そのときにM部長もたまたまその場にいたわけだが
部長曰く「他の会社の人間相手ならお前のところ(n腹)はどうなんだと言われるから、n腹の制服を着た相手にだけして欲しい
その注意を呼びかけたことにより生じた問題の責任は私がとる」とのこと
会社の体面を守る責任者としての判断としては間違ってはないと思うが、果たしてその注意をするという行為はスクリン社や他の凶器の「会社」にとって不都合なことだろうか。
注意されたからと言って、お前のところはどうなんだってギャーギャー喚くのは馬鹿→自分の会社のイメージ低下と他の凶器との関係悪化
普通は、注意される→次からは同じ過ちを繰り返さないよう努力→社員のマナーとルール意識向上 これ、会社にとって不利益か?
そもそも現場の人間にとっては、どの会社が事故起したかとかそんな問題じゃない。
上の人間ってほんとに現場理解してるのか?

もうあんな会社別にどうなっても構わないが、学生用の求人票にn腹で正社員があったら
安定所に学生さんが偽装請負に騙されないように注意呼びかけようと思う
何も知らない新卒や二次新卒が騙されて、あんな会社に「新卒」のカード使ってしまわないようにしないと・・・
(漏れもその口
626 : 名無しさん@3周年[sage] : 2007/01/28(日) 13:40:14 ID:fPJEqtkg
MOSFETのオン抵抗って正の温度係数をもってますよね。
じゃあ、JFETのオン抵抗はどっちなんでしょうか?
真性半導体と同じで負なんでしょうか?
急に気になって夜も眠れんバイ・・・。
627 : 名無しさん@3周年 : 2007/03/20(火) 22:19:27 ID:2Em4g5dd
ECRの構造、Vppは等を詳しく知りたいのですがよい文献等はありませんかねー、、
628 : 名無しさん@3周年 : 2007/04/21(土) 09:12:05 ID:q/D40c8c
いんでくさーってカセットをセットするステージを動作するAssy部?かせっといんでくさー
っていう。
629 : 名無しさん@3周年 : 2007/12/04(火) 01:59:06 ID:BQcIHveZ
良スレage

ドライエッチングの技術者に質問ですが、
SiO2とSiNxの選択比をとる場合に、どのような方法が
あるでしょうか?
SiO2に対して、SiNxのRateを遅くしたいのですが、うまくいきません。。
630 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/02/19(火) 22:52:48 ID:9OsuB1X8
五十嵐に聞け
631 : 名無しさん@3周年 : 2008/03/20(木) 09:38:50 ID:j0eJY9vK
大画面薄型ディスプレイ 製造装置保守メンテナンススタッフ
掲載・更新:3/19(水)

新製品の装置保全のしくみをイチからつくるキヤノンの新会社「SED」の募集です。

キヤノンが独自開発した薄型ディスプレイ「SEDパネル」。
ブラウン管と同じ原理を用いた「SED」は、これまでにない高画質を実現した、まさに次世代のディスプレイです。
キヤノンは2004年にSEDを専門に開発・生産を行うSED株式会社を設立、本格的な量産化に向けた準備が進められています。

新製品の装置メンテナンスのしくみを立ち上げる大仕事に携わっているのが、
SED株式会社・開発生産本部のメンバー。
24時間稼動し続ける製造装置のメンテナンスを担う装置保全課では、
量産化に向けて組織体制を強化すべく、新たに人材を迎えることになりました。
世の中にない、新しいデバイスの誕生に関わりたい方をお待ちしています。


仕事の内容 ディスプレイ製造装置(含むFA)トラブル対応・メンテナンス

【具体的には】
ディスプレイ量産ラインで使用される、製造装置のトラブル対応、メンテナンスをご担当いただきます。

・特にPDP・LCD・半導体製造工程に関する経験者を歓迎しております。
・製品問わず、量産ラインにて製造装置のメンテナンス業務の経験をお持ちの方を歓迎します。
・現在、SEDパネルは試作フェーズの段階にあります。
マシンコンディションをどれだけ安定・向上させられるかが重要なカギです。

キヤノン株式会社の転職・求人情報/リクナビNEXT[転職サイト]
http://rikunabi-next.yahoo.co.jp/rnc/docs/cp_s01800.jsp?rqmt_id=0005580709


ついにSEDの本格的な量産体制が整ってきたようだな。
55インチのSEDが発売されれば、有機ELテレビの出る幕がなくなる。
632 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/03/23(日) 00:28:13 ID:rySS5qJq
こういう論文集ってどこかで手に入るの?

-----------------
平成18 年(2006 年)
電気学会産業応用部門大会

S10 ここまで出来る! リニア駆動システム
座長:鳥居 粛(武蔵工業大学)
全体紹介(10 分)
3-S10-1 大推力化・高加減速化を実現するリニアドライブ技術(25 分)
・・・・・・・・・・○金 弘中(日立製作所)・佐藤海二(東京工業大学)・高林博文(NEOMAX)・大橋 健(信越化学工業)・
渡辺利彦(FDK)
3-S10-2 ここまで出来る! リニア駆動システム .精密位置決めを実現するリニアドライブ技術.(25 分)
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・○鹿山 透(安川電機)・森田良文(名古屋工業大学)・藤澤正司(日本トムソン)・
梶岡守正(PWB テクノロジーズ)
休憩(10 分)
3-S10-3 応用事例(1)液晶・半導体製造装置(25 分)
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・○杉田 聡(山洋電気)・長谷川英視(オリエンタルモーター)
3-S10-4 応用事例(2)FA・加工機(25 分)
・・・・・・・・・・・・○仲 興起(三菱電機)・佐藤芳信(富士電機アドバンストテクノロジー)・栗山義彦(NEOMAX 機工)・
江澤光晴(キヤノン)
3-S10-5 応用事例(3)LOA の用途(25 分)
・・・・・・・・・・・・・・・○村口洋介(神鋼電機)・水野 勉(信州大学)・平田勝弘(大阪大学)・和多田雅哉(武蔵工業大学)・
矢島久志(SMC)
633 : 名無しさん@3周年 : 2008/03/29(土) 10:28:49 ID:PCWf6VjX
五十嵐さんに聞いたんだけど解決しませんでした。
芳川さんに聞いてみるか。
634 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/04/12(土) 05:44:46 ID:QSuxr4Az
本当にSEDで人を募集してるのか?
まだあきらめてないの?
635 : 名無しさん@3周年 : 2008/04/17(木) 02:13:44 ID:J67gfRcO
>>632
http://motion.elcom.nitech.ac.jp/jiasc06/

これですね。
もう2年前のやつだから新規購入はムリかも。
大学の図書館とかで入手するのが手っ取り早そう。
636 : 名無しさん@3周年 : 2008/07/26(土) 14:38:43 ID:T0krWEMa
age
637 : 名無しさん@3周年 : 2008/08/24(日) 18:09:02 ID:fSpqJszk
どなたかご教授ください。
前工程プロセスで
シャロートレンチドライエッチで素子分離用の溝を作る

その後、埋め込み用酸化膜を堆積させ、CMPで平坦化して、
窒化膜を除去して、

その後のシリコン酸化膜を除去すると思います。

このとき素子分離の部分の二酸化シリコンも
同時に除去されないのでしょうか?

ご回答願います。。
638 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/08/24(日) 21:35:44 ID:qo3CzCSF
>>637
除去されません
639 : 名無しさん@3周年 : 2008/08/24(日) 23:47:08 ID:0cfJ1jbc
すみません。
なぜ除去されないのでしょうか?
同じ二酸化しりこんではないのでしょうか?
640 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/08(月) 09:57:06 ID:IPQhqT/a
ウェーハー製造工程のFBPをなぜ行うかを知ってる方いますか?
両面研磨の後にわざと裏面を粗くするということなのですが、
一体なぜなんでしょうか?
641 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/11(木) 06:23:47 ID:A9Mogxyx
裏表の区別をするため
642 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/11(木) 21:31:57 ID:oPRj8gaS
素子を研究するのに物理はどのくらい使いますか?
量子力学とかって使いますか?
643 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/12(金) 10:08:29 ID:qDoueIxO
今のところ使わない
ただし、これからは知っている必要がある
644 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/12(金) 20:53:18 ID:/G+jpgbf
ありがとうございますm(_ _)m今、学部一年なんで頑張って勉強しようと思います
645 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/09/13(土) 01:07:09 ID:XstOXYZ2
うざかったらすいません。勝手に頑張ろうと思います。
646 : 名無しさん@3周年 : 2008/11/19(水) 21:39:04 ID:xQCS6thX
ウエハの全面にレジストを塗布した時、
レジスト有り無しを見分ける確実な方法はありますか?

ちなみにエッジリンスはできないです。
647 : 名無しさん@3周年[sage] : 2008/11/24(月) 15:40:15 ID:yl4ce3MU
見れば分かるだろ
648 : 名無しさん@3周年 : 2009/01/21(水) 20:40:34 ID:Bp5w9oUc
>>646
スパッタに突っ込んで、ピリピリ剥がれてきたらPR有り。
ふつうにメタルが付いたらたぶんPRなし。
649 : 名無しさん@3周年 : 2009/01/25(日) 12:01:47 ID:PfWlN3al
どなたかご教授ください。
フォトリソ工程のスタッフになり初の仕事で悩んでいます。
現在、塗布でのトフムラによる開孔不良が問題になっています。
レジスト回収の9割がトフムラです。
こんなにトフムラで回収が多いのに対策打ってないのと尋ねたら過去に数十人もの人がこのトフムラ削減に取り組んで来たが
誰一人としてトフムラを無くすことができず挫折したそうです。
今ではトフムラは異常ではなく普通あって当たり前になってます。
この雰囲気を打破したく
半導体プロセスのスペシャリスト様塗布ムラを無くす方法教えて下さいませ。
650 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/01/25(日) 23:24:20 ID:jkq4e7hx
塗布ムラにもいろいろパターンがあるんだがな
まず工程とレジストの粘度くらいは書けよ

ポリミドとかだったら質問してる方が馬鹿だがな
651 : 名無しさん@3周年 : 2009/01/26(月) 15:19:01 ID:KdvlHMRp
>>650
宜しくお願いします。
レジストは33cp~70cpで4種類使用してます。
4種類ともまんべんなく塗布ムラが発生しています。
特に工程の偏りはなくどの工程でも同じく発生しています。
コーター8台(全て同じ機種)ありますがこれも偏りなくどの装置でも同じく発生します。
塗布ムラの発生状態はウェーハ中心から筋が入ったようなムラがほとんどです。
装置観察にてウェーハスピン時のセンタリングズレなし、レジストノズルのセンタリングズレなしだけど処理後塗布ムラ有り???
こんな状態なんで何から手を付けていったらいいのか悩んでます
塗布後は全数表面検査実施し不良流出防いでいます生産性悪すぎです。

※なぜかポリイミドの塗布ムラは無いですね。
652 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/01/29(木) 23:44:04 ID:MLrN1wK7
300㍉だよな?
滴下量は何cc?
シンナー有り?
ムラに固形物落ちてない?
C/Dの機種は?

つかヤバい位発生するなら
金払ってメーカーにやらせろよ
653 : 名無しさん@3周年 : 2009/01/30(金) 22:14:13 ID:/GdHSO/t
来年度から半導体メーカーの工場で働くことになったのですが、電気基礎とそれに関する英語を勉強しろと言われました。
勉強しようと思うのですがお勧めの本などありませんでしょうか。
教えていただけるとありがたいです。
654 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/07(土) 21:48:08 ID:JHdsU1TA
>>652
宜しくお願いします。
いやいや恥ずかしながら6インチです。
滴下量は3~4ccでシンナーなしです。
ムラに固形物はないです。(パーティクルで管理してます)
っかやばいっす、金もないっす
こんな事してる間に1枚また1枚塗布ムラが・・・
基本的な塗布のレシピってどんなんでしょうか。
655 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/02/07(土) 23:10:22 ID:7WJNM8kR
そもそもベアではキチンと塗れてるの?
パターンの起伏でうまく塗れないだけじゃない?

そこから切り分けないと
656 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/09(月) 22:28:23 ID:Y3b8jwYQ
>>653
電気といいましてもいささか広うござんす。
「生きているってどういうことですか?」と問われたかのような、、、
どのような職種でしょうか。
657 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/09(月) 23:33:32 ID:plLxhzgj
>>655
宜しくお願いします。
ベアでも塗布ムラ出たりでなかったりです。
パターンの起伏しも考えたのですがベアでもムラ出るためレシピの問題ではないかと推測しています。
膜厚により回転数は違いますが同じステップでレシピ作成している為どのレシピでも塗布ムラが出るのではと考えています。
基本になるレシピっつうか基本的なレシピがわかりせん。
たとえば、レジスト滴下して○○rpmで回転させレジストを伸ばし○○rpmで回転させとか・・・・です。
ご教授ください。
658 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/02/10(火) 01:40:07 ID:4FRJYYpE
まずはベアで塗れるようにならないと話にならない

>基本になるレシピっつうか基本的なレシピがわかりせん。
>たとえば、レジスト滴下して○○rpmで回転させレジストを伸ばし○○rpmで回転させとか・・・・です。
>ご教授ください。

そもそもコーターはどこの?TEL?DNS?
659 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/10(火) 21:40:17 ID:4eHmCB/D
こんなとこに書いてないでメーカーに電話しろよ
プロセス課題のFAQすぎる、製造のおっさんでもわかる
説明する気にもならない
660 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/10(火) 23:43:20 ID:fbNZ/wnp
>>658
ごもっともです。
コーターはc○nonです。
質問
レジスト滴下時のウェーハとレジストノズルの高さ(距離)って関係ありますか?
>>659
レベル低くてすんません。
661 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/02/11(水) 03:46:30 ID:XCdo1WlE
>>660
CANONはコーター作ってないだろ、それはインラインしてる露光機だ

>レジスト滴下時のウェーハとレジストノズルの高さ(距離)って関係ありますか?
むちゃくちゃ離れてるとかでない限りは関係ない
コーター担当のプロセス屋さんはいないのか?なんで素人が対処してるの?

塗布ムラの写真と不具合頻度、コーティングレシピとパラメータを見れば悪いところがあるのか
どうかはわかるけど、流石に2chで公開する粋を越えてるな。

しかし、そういう情報無しにこちら側から原因推測するのは雲をつかむような話だ。
662 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/12(木) 23:27:11 ID:ixZtXHrW
キャノンで笑ったから少しだけ教える

ホントにゴミ無しのムラなら、
滴下量を増やすのが模範解答

滴下量増やしたくないなら、
スタティックで滴下した液を広げるステップの加速度と回転数いじれ

ホントは大学の研究室とかいうオチか?
ちょっとアホ過ぎるぞ…
663 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/02/12(木) 23:45:34 ID:DGG6cQHq
書き込みのレベルからしてたぶんスタティックの意味もわからないと思う

滴下量増加はポンプに依存するとはいえ、だいたい8ccくらいまでなら増やせるな
しかしながら吐出レートを変えるとプロファイルに影響するぞ
吐出量を変えるなら相応にレシピもいじらないといかん。

スタティックでやってもプロファイル変わるから均一性の追い込みやらなきゃいけないし

濡れ性あげるなら吐出の後にブレーキをかけるステップを入れるのも一つの手だが
664 : DQN太郎 : 2009/02/15(日) 18:37:47 ID:r2CFJjDs
>>661、662、663
 ありがとうございます。
 間違いなくコーターはCanonっすよ珍しい??
 なぜ素人が・・・ワークシェアリングかな?
 人員過剰で一人1テーマ改善活動やらされてます。(経験関係なく)製造業は常に改善ですからね。
 要は勉強しろってことです。
 うちの会社は未経験の所に飛ばすのが好きなんですよ、わからない所からどれだけ出来るか試すっつう感じ。
 本題
 スタティック・・・静止した状態ですよね。
 >濡れ性あげるなら吐出の後にブレーキをかけるステップを入れるのも一つの手だが
  ここがよくわかりません

  これからもいらいらとお世話になると思いますので、
  ワタクシDQN太郎と命名します。
  宜しくお願いします。
665 : 名無しさん@3周年[sage] : 2009/02/15(日) 19:12:49 ID:jeYTxdvj
悪いけど2chだと無理だ
理由は>>661
塗布ムラの写真やコーティングレシピ、各種パラメータがわからない限りは原因がよくわからないし、
もっと言うと装置での塗布状況を見ないとわからんこともある。

君の質問も抽象的すぎて答えに窮する(レシピとしての標準は何か?とかね)

わかる先輩に教えてもらうか、装置メーカーの人を呼んで教えてもらいなさい。
最初の質問からだいぶ時間が経っているが、知見のある人に教えてもらえば長くても1日で済む話。

相応の報酬を払うってんなら、土日に俺が行ってもいいけどねw
666 : 名無しさん@3周年 : 2009/02/16(月) 23:09:16 ID:ivuihX9A
665が直せずにスゴスゴ帰ってきたら受けるw

もうここで聞いても無意味だよ
はよメーカーに電話しなさい
電話して聞く行動力もないならクビ!
667 : 名無しさん@3周年 : 2009/03/03(火) 18:17:31 ID:SF2yps2a
ダミアンは厳しいな。
668 : 名無しさん@3周年 : 2009/03/22(日) 14:55:40 ID:cIZf/7Iu


半導体メーカーの売上高ランキング (1987年~2008年)
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93_%E5%A3%B2%E4%B8%8A%E9%AB%98%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%AD%E3%83%B3%E3%82%B0






669 : 名無しさん@3周年 : 2009/05/09(土) 08:55:58 ID:vDETiL2p
大きな電流を半導体に流すものもありますが、だいたいメタルに電流を流すと思いますが、その電流値の限界はなんで決まるのですか?
熱のみですか?
670 : 名無しさん@3周年 : 2009/05/09(土) 15:15:52 ID:TEFRDNa/
教えてください。
電極に使うpolyの"ReOX"って工程は、何のためにあるのでしょうか?
今、AM○TのHTOで、酸化膜つけているのですが・・・。
671 : 名無しさん@3周年 : 2009/08/25(火) 18:54:20 ID:Mv3TURQb
おまいらがやろうとしたら、こんな風にB-CASカードをハックして
鍵情報吸い出したりできる?
http://wiredvision.jp/news/200806/2008062521.html
672 : 名無しさん@3周年 : 2009/09/04(金) 20:09:22 ID:WZ7C/mUn
B-CASハックage
673 : 名無しさん@3周年 : 2010/03/19(金) 07:58:04 ID:FDMgKt1L
ドライエッチングを最近学び始めたのですが、
「プロセスガスを流して、そこにプラズマをかけたら、膜が削れる」という内容は聞いたのですが、
いまいち理屈が分かりません。
674 : 名無しさん@3周年 : 2010/05/30(日) 03:58:59 ID:fqToKSps
アッシングだろ。一般的なのはO2

プロセスガスの種類で
膜を付けたり削ったり出来る。